KNH2908D TO-3P 80V130A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低 Rds (on) 大功率 MOS 管，高雪崩电流，UPS 硬开关电源专用
KNH2908D,KIA MOS管，TO-3P MOS管，80V130A N 沟道 MOS管，
大功率 MOS管，UPS 电源 MOS管，低内阻 MOS管
KNH2908D规格书
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KNH2908D N沟道MOS管｜TO-3P封装
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产品简述
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KIA 2908D，80V/130A低Rds(on)功率MOS管，低导通损耗，高雪崩电流
适用于电源开关、高频硬开关电路、UPS不间断电源。
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KNH2908D（TO-3P封装）订购信息
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型号
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KNH2908D
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封装
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TO-3P
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品牌
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KIA
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KNH2908D（TO-3P封装）引脚定义
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Pin1
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Gate 栅极
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Pin2
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Drain 漏极
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Pin3
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Source 源极
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KNH2908D（TO-3P封装）最大额定参数（TA=25℃）
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VDS 漏源电压
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80V
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VGS 栅源电压
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±25V
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ID连续漏极电流(Tc=25℃)
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130A
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ID连续漏极电流(Tc=100℃)
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95A
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IDM脉冲漏极电流
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500A
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IAS雪崩电流
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30A
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EAS单脉冲雪崩能量
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900mJ
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PD总功耗(Tc=25℃)
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246W
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PD总功耗(Tc=100℃)
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150W
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TJ,TSTG结温范围
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-55~175℃
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KNH2908D（TO-3P封装）热特性
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RθJC 结到壳热阻
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0.78 ℃/W Max
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RθJA 结到环境热阻
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62.5 ℃/W Max
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KNH2908D（TO-3P封装）电气特性（TA=25℃）
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BV DSS漏源击穿电压
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80V Min
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IDSS漏源漏电流(VDS=64V,VGS=0V)
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1μA Max
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IDSS漏源漏电流(125℃)
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10μA Max
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IGSS栅源漏电流
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±100nA Max
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VGS(th)栅阈值电压
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2~4V，典型3V
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RDS(on)导通电阻(VGS=10V,ID=50A)
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4.8mΩ典型，6mΩ最大
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RG栅极电阻
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1.7Ω典型
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Qg总栅电荷
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110nC典型
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Qgs栅源电荷
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16nC典型
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Qgd栅漏电荷
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45nC典型
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td(on)开通延迟时间
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25ns典型
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tr上升时间
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16ns典型
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td(off)关断延迟时间
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40ns典型
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tf下降时间
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52ns典型
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Ciss输入电容
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4500pF典型
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Coss输出电容
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640pF典型
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Crss反向传输电容
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230pF典型
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IS连续源极电流
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130A
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VSD源漏二极管正向电压
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1.3V典型
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trr反向恢复时间
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30ns典型
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Qrr反向恢复电荷
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52nC典型
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KNH2908D（TO-3P封装）产品特点
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特点
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1.Rds(on)=4.8mΩ@VGS=10V
2.无铅环保器件
3.低导通电阻降低传导损耗
4.高雪崩电流
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KNH2908D（TO-3P封装）应用领域
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应用
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电源开关应用
硬开关高频电路
UPS不间断电源
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KNH2908D（TO-3P封装）平替替代型号清单
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可选替代
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IRF3205
IRF2807
IRF2908
FDP130N80
SPP130N80
STP130N80
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KNH2908D（TO-3P封装）营销推广简述
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产品优势
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KNH2908D TO-3P N沟道MOS管，80V/130A大电流规格，极低导通内阻，减少发热
。高雪崩耐受，可靠性强，适合大功率硬开关电源、UPS设备。TO-3P封装散热优异，
环保无铅，批量供货稳定，是大功率电源优选方案。
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