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KNB2908D N沟道MOS管产品概述
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型号
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KNB2908D
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封装
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TO-263
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沟道类型
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N-CHANNEL MOSFET
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Vds漏源电压
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80V
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连续漏极电流Id
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130A(Tc=25℃)
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Rds(on)导通电阻
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4.8mΩ(典型值@Vgs=10V)
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产品特点
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低导通损耗，高雪崩电流，无铅环保
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应用领域
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电源开关、高频硬开关、UPS不间断电源
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KNB2908D（TO-263封装）订购信息
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KNB2908D
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TO-263，KIA品牌
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KNP2908D
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TO-220，KIA品牌
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KNH2908D
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TO-3P，KIA品牌
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KNB2908D（TO-263封装）最大额定参数(Ta=25℃)
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Vds漏源电压
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80V
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Vgs栅源电压
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±25V
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Id连续漏极电流
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130A(Tc=25℃)/95A(Tc=100℃)
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Idm脉冲漏极电流
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500A
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Ias雪崩电流
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30A
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Eas单脉冲雪崩能量
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900mJ
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Pd总耗散功率
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246W(Tc=25℃)/150W(Tc=100℃)
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结温范围Tj,Tstg
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-55~175℃
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KNB2908D（TO-263封装）热特性参数
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Rθjc结到壳热阻
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0.78℃/W
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Rθja结到环境热阻
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62.5℃/W
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KNB2908D（TO-263封装）电气特性(Ta=25℃)
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BVdss漏源击穿电压
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80V@Vgs=0V,Id=250μA
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Idss漏源漏电流
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1μA(Max)Vds=64V,Vgs=0V
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Igss栅源漏电流
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±100nA(Max)Vgs=±25V,Vds=0V
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Vgs(th)栅极阈值电压
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2~3V,Vds=Vgs,Id=250μA
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Rds(on)导通电阻
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4.8mΩ(Typ)6mΩ(Max)Vgs=10V,Id=50A
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Rg栅极电阻
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1.7Ω@Vds=0V,f=1MHz
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Qg总栅电荷
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110nC,Vds=64V,Vgs=10V,Id=60A
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Qgs栅源电荷
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16nC,Vds=64V,Vgs=10V,Id=60A
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Qgd栅漏电荷
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45nC,Vds=64V,Vgs=10V,Id=60A
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td(on)开通延迟时间
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25ns,Vdd=60V,Id=40A,Rg=6Ω,Vgs=10V
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tr上升时间
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16ns,Vdd=60V,Id=40A,Rg=6Ω,Vgs=10V
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td(off)关断延迟时间
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40ns,Vdd=60V,Id=40A,Rg=6Ω,Vgs=10V
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tf下降时间
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52ns,Vdd=60V,Id=40A,Rg=6Ω,Vgs=10V
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Ciss输入电容
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4500pF,Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz
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Coss输出电容
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640pF,Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz
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Crss反向传输电容
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230pF,Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz
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Is连续源极电流
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130A
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Vsd源漏二极管正向电压
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1.3V,Vgs=0V,Is=130A
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trr反向恢复时间
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30ns,If=30A,Vgs=0V,di/dt=100A/us
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Qrr反向恢复电荷
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52nC,If=30A,Vgs=0V,di/dt=100A/us
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KNB2908D（TO-263封装）引脚定义
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1脚
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Gate栅极
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2脚
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Drain漏极
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3脚
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Source源极
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KNB2908D（TO-263封装）平替替代型号清单
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同系列替代
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KNP2908D
KNH2908D
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KNB2908D（TO-263封装）产品营销要点
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核心卖点
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极低导通电阻，降低发热损耗；高雪崩耐量，抗浪涌不易炸管
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客户痛点解决
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大功率开关发热、尖峰击穿、雪崩失效、批量一致性差
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推荐方案
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UPS电源、大功率硬开关、工业电源、电机驱动
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