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KNM2808A TO-247 N沟道MOS管｜产品基础信息
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型号
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KNM2808A
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封装
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TO-247
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沟道类型
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N沟道MOSFET
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Vdss漏源电压
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80V
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连续漏极电流Id(Tc=25℃)
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150A
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连续漏极电流Id(Tc=100℃)
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114A
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脉冲漏极电流Idm
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660A
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Rds(on)导通电阻典型值
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4.0mΩ @Vgs=10V
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单脉冲雪崩能量Eas
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1.1J（L=0.5mH,VD=64V）
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最大功耗Pd(Tc=25℃)
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214W
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最大功耗Pd(Tc=100℃)
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107W
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最大结温Tj
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175℃
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存储温度范围
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-55℃ ~ 175℃
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栅源电压Vgss
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±25V
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二极管连续正向电流Is
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150A
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结壳热阻RθJC
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0.7℃/W
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结到环境热阻RθJA
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62.5℃/W
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KNM2808A（TO-247封装）｜电气特性参数(TA=25℃)
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漏源击穿电压BVdss
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80V(Vgs=0V,Ids=250μA)
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零栅压漏极电流Idss
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最大1μA；Tj=85℃最大10μA
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栅极阈值电压Vgs(th)
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2.0~4.0V，典型3.0V
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栅极漏电流Igss
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±100nA(Vgs=±25V,Vds=0V)
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Rds(on)最大值
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5.0mΩ(Vgs=10V,Id=40A)
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栅极电阻Rg
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典型1.8Ω(1MHz,Vds=0V,Vgs=0V)
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源漏二极管正向电压Vsd
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0.8~1.2V，典型0.8V(Isd=40A,Vgs=0V)
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反向恢复时间trr
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典型30ns(Isd=85A,dl/dt=100A/μs)
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反向恢复电荷Qrr
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典型52nC
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输入电容Ciss
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典型6109pF(Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz)
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输出电容Coss
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典型995pF
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反向传输电容Crss
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典型530pF
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开通延迟时间td(on)
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典型28ns(Vdd=40V,Ids=85A,Rg=6Ω,Vgs=10V)
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上升时间tr
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典型18ns
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关断延迟时间td(off)
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典型42ns
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下降时间tf
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典型54ns
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总栅电荷Qg
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典型152nC(Vds=64V,Vgs=10V,Ids=85A)
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栅源电荷Qgs
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典型25nC
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栅漏电荷Qgd
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典型53nC
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KNM2808A（TO-247封装）｜产品特点
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特点1
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Rds(on)典型4.0mΩ，导通损耗低
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特点2
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100%雪崩测试，抗冲击能力强
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特点3
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器件稳定耐用，鲁棒性高
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特点4
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无铅环保，符合RoHS规范
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KNM2808A（TO-247封装）｜应用领域
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应用1
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各类开关电源开关应用
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应用2
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逆变器系统电源管理
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KNM2808A（TO-247封装）｜引脚定义
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Pin1
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Gate 栅极
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Pin2
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Drain 漏极
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Pin3
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Source 源极
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KNM2808A（TO-247封装）平替替代型号清单
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平替型号
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KIA2808A(TO220)
KIA2808A(TO263)
KIA2808A(TO3P)
KNH2808A(TO3P)
KNB2808A(TO263)
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KNM2808A（TO-247封装）｜营销推广文案
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客户痛点
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大功率设备温升大、MOS易烧毁；雪崩耐量不足，冲击损坏；导通电阻大损耗高
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产品优势
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TO-247大封装散热强；4mΩ低内阻；100%雪崩测试，鲁棒性强，RoHS环保
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适用设备
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逆变器、大功率开关电源、电机驱动、工业电源等
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服务支持
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KIA原厂现货，支持样品测试，技术支持配套
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