KNP2408A TO-220 80V190A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
KNP2408A 大功率 MOS 管，低导通电阻，高雪崩耐量，电源开关专用
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KNP2408A规格书
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KNP2408A（TO-220封装）｜N沟道MOS管 TO-220封装 KIA半导体
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产品简述
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采用先进沟槽工艺，低Rds(on)、低栅极电荷，适用于电源开关、硬开关高频电路、UPS不间断电源。
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核心参数
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VDS=80V，ID=190A，Rds(on)典型3.7mΩ@VGS=10V
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产品特性
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高密度元胞设计，低导通电阻；雪崩电压/电流完整标定；高EAS，稳定性一致性好；封装散热优异
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应用场景
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电源开关应用；硬开关高频电路；不间断电源UPS
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KNP2408A（TO-220封装）引脚定义（TO-220）
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引脚1
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Gate 栅极(G)
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引脚2
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Drain 漏极(D)
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引脚3
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Source 源极(S)
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引脚4
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Drain 漏极(D)
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订购信息
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KNB2408A
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TO-263，KIA
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KNP2408A
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TO-220，KIA
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KNM2408A
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TO-247，KIA
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KNP2408A（TO-220封装）最大额定参数
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VDS 漏源电压
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80V
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VGS 栅源电压
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±20V
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TJ 最大结温
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175℃
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TSTG存储温度
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-55~175℃
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ID连续漏极电流
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190A@Tc=25℃
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IDM脉冲漏极电流
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760A
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EAS单脉冲雪崩能量
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1.4J（L=0.5mH）
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PD最大功耗
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270W@Tc=25℃
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KNP2408A（TO-220封装）热特性参数
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RθJC 结到壳热阻
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0.55℃/W（TO-220）
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KNP2408A（TO-220封装）电气特性（TA=25℃）
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BVdss 漏源击穿电压
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80V，VGS=0V,ID=250μA
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IDSS漏源漏电流
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Max 1μA，VDS=80V,VGS=0V
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IGSS(F)栅源正向漏电流
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Max100nA@VGS=+20V
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IGSS(R)栅源反向漏电流
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Max-100nA@VGS=-20V
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Rds(on)导通电阻
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Typ3.7mΩ Max4.5mΩ@VGS=10V,ID=40A
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VGS(th)栅极阈值电压
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Min2.0V Typ2.8V Max4.0V
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gfs正向跨导
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Typ15S，VDS=5V,ID=15A
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KNP2408A（TO-220封装）动态开关参数
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Qg总栅电荷
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Typ260nC(VDS=64V,VGS=10V,ID=80A)
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Qgs栅源电荷
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Typ75nC
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Qgd栅漏电荷
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Typ80nC
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td(on)开通延迟时间
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Typ25ns
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tr上升时间
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Typ21ns
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td(off)关断延迟时间
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Typ48ns
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tf下降时间
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Typ18ns
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KNP2408A（TO-220封装）电容参数
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Ciss输入电容
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Typ13500pF@VDS=25V,f=1MHz
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Coss输出电容
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Typ950pF
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Crss反向传输电容
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Typ810pF
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KNP2408A（TO-220封装）体二极管参数
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VSD二极管正向电压
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Typ1.3V@VGS=0V,IS=40A
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KNP2408A（TO-220封装）平替替代型号清单
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备选型号
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IRF3205
FDP180N08
STW180N8F7
IPP190N08N3G
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KNP2408A（TO-220封装）产品营销推广文案
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卖点简介
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KNP2408A，TO-220大电流N沟道MOS管。80V/190A，超低导通电阻，开关损耗低
。高EAS抗雪崩能力，一致性稳定，散热性能优异，适配大功率电源、UPS高频硬开关电路
，国产KIA半导体供货稳定，交期可控。
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