KCC1808A TO-263-6L 80V240A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低导通电阻 1.7mΩ，大功率 BMS / 电机驱动专用 MOS 管
KCC1808A,TO-263-6L MOS管，大功率 N 沟道 MOS管，
80V MOS管，储能 BMS MOS管，低发热 MOS管
KCC1808A规格书
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KCC1808A TO-263-6 N沟道MOS管｜KIA
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产品型号
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KCC1808A
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封装
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TO-263-6
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品牌
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KIA
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核心规格
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Vds=80V，Id=240A，Rds(on)=1.7mΩ(典型)
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KCC1808A（TO-263-6L封装）产品特性 Features
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技术工艺
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先进SGT工艺
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导通电阻
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Rds(on)典型1.7mΩ@Vgs=10V
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FOM优值
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栅电荷×Rds(on)产品优异
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KCC1808A（TO-263-6L封装）应用领域 Application
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适用场景
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电机驱动、电池管理、DC/DC转换器、通用电源
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KCC1808A（TO-263-6L封装）引脚定义 Pin configuration
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Pin1
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Gate（栅极）
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Pin4
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Drain（漏极）
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Pin2,3,5,6,7
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Source（源极）
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KCC1808A（TO-263-6L封装）最大额定参数 Absolute maximum ratings(Tc=25℃)
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Vds漏源电压
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80V
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Id连续漏极电流
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270A(硅极限)/200A封装限制
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Id脉冲漏极电流
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750A
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Eas单脉冲雪崩能量
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2500mJ
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Vgs栅源电压
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±20V
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Ptot总功耗
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223W
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结温存储温度
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-55℃ ~ +150℃
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KCC1808A（TO-263-6L封装）热特性 Thermal characteristics
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RthJC结到壳热阻
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0.54 ℃/W
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RthJA结到环境热阻
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60 ℃/W
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KCC1808A（TO-263-6L封装）电气特性 Electrical characteristics(Tj=25℃)
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V(BR)DSS漏源击穿电压
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Min80V
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VGS(th)栅极阈值电压
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2~4V，典型3V
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IDSS零栅压漏极电流
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Max1μA@Vds=80V
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IGSS栅源漏电流
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Max100nA@Vgs=20V
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Rds(on)导通电阻
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Typ1.7mΩ，Max2mΩ
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gfs跨导
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Typ145S
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Ciss输入电容
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Typ13621pF
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Coss输出电容
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Typ2345pF
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Crss反向传输电容
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Typ949pF
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Qg总栅电荷
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Typ207nC
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Qgs栅源电荷
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Typ56nC
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Qgd栅漏电荷
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Typ42nC
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td(on)开通延迟时间
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Typ36ns
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tr上升时间
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Typ130ns
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td(off)关断延迟时间
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Typ124ns
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tf下降时间
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Typ150ns
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Rg栅极电阻
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Typ1.85Ω
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Vsd体二极管正向电压
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0.85~1.2V，Typ0.85V
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trr体二极管反向恢复时间
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Typ112ns
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Qrr反向恢复电荷
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Typ213nC
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KCC1808A（TO-263-6L封装）
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痛点说明
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大电流方案发热高、导通损耗大，散热压力大，雪崩耐量不足
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KCC1808A（TO-263-6L封装）产品营销卖点
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核心卖点
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SGT工艺极低内阻，大电流，高雪崩能量，国产原厂稳定供货
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KCC1808A（TO-263-6L封装）平替替代型号清单
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可平替型号
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