KCT1808A TOLL-8封装 80V 240A N沟道MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-09-30
KCT1808A TOLL-8封装 80V 240A N沟道MOS管｜KIA-MOS管
超低内阻1.25mΩ，240A大电流，电机与电池管理首选
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KCT1808A规格书
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 产品型号 | KCT1808A |
| 产品类型 | N沟道mos管 |
| 额定电流 | 240A |
| 额定电压 | 80V |
| 导通内阻 | 1.25mΩ(typ)@Vgs=10V |
| 核心技术 | 先进SGT技术 |
| 封装形式 | TOLL-8 |
| 特性 | 说明 |
|---|---|
| 核心技术 | 采用先进SGT技术 |
| 超低内阻 | Rds(on)=1.25mΩ(typ)@Vgs=10V |
| 优良FOM | 栅极电荷x导通电阻乘积优良 |
| 序号 | 应用场景 |
|---|---|
| 1 | 电机控制与驱动 |
| 2 | 电池管理 |
| 3 | DC/DC转换器 |
| 4 | 通用应用 |
| 引脚 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极 |
| 9 | Drain 漏极 |
| 2~8 | Source 源极 |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCT1808A | TOLL-8 | KIA |
| 参数 | 条件 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | 硅限制 | VDS | 80 | V |
| 连续漏极电流 | Tc=25℃封装限制 | ID | 260 | A |
| 连续漏极电流 | Tc=100℃硅限制 | ID | 240 | A |
| 连续漏极电流 | Tc=100℃封装限制 | ID | 170 | A |
| 脉冲漏极电流 | Tc=25℃脉宽受结温限制 | IDP | 750 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | L=0.5mH,Rg=25Ω | EAS | 2862 | mJ |
| 栅源电压 | - | VGS | ±20 | V |
| 最大耗散功率 | - | Ptot | 250 | W |
| 结与存储温度 | - | TJ&TSTG | -55~150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 0.5 | ℃/W |
| 结-环境热阻 | RθJA | 52 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=250μA | 80 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 零栅压漏电流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 零栅压漏电流(125℃) | IDSS | VDS=64V,VGS=0V | - | - | 10 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V | - | - | 100 | nA |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=50A | - | 1.25 | 2 | mΩ |
| 跨导 | gfs | VDS=5V,ID=40A | - | 227 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V,VDS=40V | - | 15022 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VGS=0V,VDS=40V | - | 2523 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VGS=0V,VDS=40V | - | 1303 | - | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | VGS=10V,VDS=40V,ID=50A | - | 205 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 同上 | - | 54 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | 同上 | - | 46 | - | nC |
| 开通延迟 | td(on) | VGS=10V,VDS=40V,Rg=3Ω | - | 38 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VGS=10V,VDS=40V,Rg=3Ω | - | 132 | - | ns |
| 关断延迟 | td(off) | VGS=10V,VDS=40V,Rg=3Ω | - | 126 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VGS=10V,VDS=40V,Rg=3Ω | - | 153 | - | ns |
| 栅极电阻 | Rg | VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz | - | 1.85 | - | Ω |
| 体二极管压降 | Vsd | VGS=0V,ID=50A | - | 0.8 | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | ID=30A,di/dt=500A/μs | - | 112 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | ID=30A,di/dt=500A/μs | - | 220 | - | nC |
| 曲线 | 说明 |
|---|---|
| Fig1~Fig6 | 输出/转移/导通电阻/电容特性 |
| Fig7~Fig8 | 阈值电压/击穿电压随温度变化 |
| Fig9~Fig10 | 栅极电荷/体二极管正向特性 |
| Fig11~Fig12 | 功耗/漏极电流降额曲线 |
| Fig13 | 安全工作区SOA |
| Fig14 | 最大瞬态热阻抗 |
| 测试电路 | 栅极电荷/开关/UIS/二极管恢复 |
以下同规格大电流超低内阻型号可作替代参考：
| 参考替代型号 | 说明 |
|---|---|
|
IPT012N08N5 IPT015N10N5 IPT020N10N3 IPT023N08N5 NTMFS024N10 TPHR9004NL FDB0105N807L |
同为TOLL/大电流低内阻 mos管，可作平替对照 以实际规格比对为准 |
| 模块 | 推广内容 |
|---|---|
| SEO标题 | KCT1808A TOLL-8 240A 80V N沟道mos管｜KIA-MOS管 |
| 核心卖点 |
240A超大电流能力 80V高耐压设计 超低内阻1.25mΩ 先进SGT技术加持 优良栅极电荷特性 |
| 推广场景 |
电机控制与驱动 电池管理系统 DC/DC转换器 通用电源应用 |
| 信任背书 |
KIA原厂直供 TOLL-8无引脚贴装 高可靠大电流设计 |
| 推广话术 |
高可靠240A大电流mos管 KIA原厂品质超低内阻 电机与电池管理首选 |
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