KCD3008A TO-252 封装 85V 100A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-09-30
KCD3008A TO-252 封装 85V 100A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
超低内阻 4.5mΩ，100A 大电流，电机与电源应用首选
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KCD3008A规格书
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 漏源电压 V_DSS | 85V |
| 连续漏极电流 I_D | 100A（Tc=25℃） |
| 导通电阻 RDS(on) | 4.5mΩ typ（Vgs=10V） |
| 封装形式 | TO-252（DPAK） |
| 技术平台 | 先进SGT技术 |
| 应用领域 |
电机驱动 / 同步整流 DC/DC转换 / 通用应用 |
| 应用场景 | 说明 |
|---|---|
| 电机驱动 | 大电流电机控制与驱动 |
| 同步整流 SR | 高效同步整流应用 |
| DC/DC转换器 | 电源转换、功率级应用 |
| 通用应用 | 通用开关电源等 |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCB3008A | TO-263 | KIA |
| KCY3008A | DFN5*6 | KIA |
| KCD3008A | TO-252 | KIA |
| 封装 | 引脚 | 功能 |
|---|---|---|
| TO-252 / TO-263 | 1 | 栅极 Gate |
| TO-252 / TO-263 | 2 | 漏极 Drain |
| TO-252 / TO-263 | 3 | 源极 Source |
| DFN5*6 | 1,2,3 | 源极 Source |
| DFN5*6 | 5,6,7,8 | 漏极 Drain |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | 85 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃硅限制) | ID | 100 | A |
| 连续漏极电流(Tc=25℃封装限制) | ID | 80 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃硅限制) | ID | 60 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDP | 480 | A |
| 雪崩能量(单脉冲) | EAS | 560 | mJ |
| 栅源电压 | Vgs | ±20 | V |
| 功耗(Tc=25℃) | PD | 85 | W |
| 结温/存储温度 | Tj&Tstg | -55~175 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-环境热阻 | RθJA | 60 | ℃/W |
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.76 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BV_DSS | VGS=0V,ID=250μA | 85 | 90 | - | V |
| 零栅极电压漏极电流 | I_DSS | VDS=85V,VGS=0V,Tj=25℃ | - | - | 1 | μA |
| 零栅极电压漏极电流 | I_DSS | VDS=85V,VGS=0V,Tj=125℃ | - | - | 5 | μA |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| 栅极漏电流 | I_GSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| 漏源导通电阻 | R_DS(on) | VGS=10V,ID=50A | - | 4.5 | 5.5 | mΩ |
| 正向跨导 | gfs | VGS=5V,ID=50A | - | 80 | - | S |
| 参数 | 符号 | 条件 | Typ | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 栅极电阻 | R_G | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | 1.5 | Ω |
| 输入电容 | C_iss | VDS=40V,VGS=0V,F=1MHz | 4030 | pF |
| 输出电容 | C_oss | VDS=40V,VGS=0V,F=1MHz | 545 | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | VDS=40V,VGS=0V,F=1MHz | 35 | pF |
| 开通延迟时间 | t_d(on) | VDS=40V,VGS=10V,RL=3Ω | 20 | ns |
| 上升时间 | t_r | VDS=40V,VGS=10V,RL=3Ω | 38 | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | VDS=40V,VGS=10V,RL=3Ω | 45 | ns |
| 下降时间 | t_f | VDS=40V,VGS=10V,RL=3Ω | 20 | ns |
| 参数 | 符号 | 条件 | Typ | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 总栅极电荷 | Q_g | VDS=40V,ID=25A,VGS=10V | 65 | nC |
| 栅源电荷 | Q_gs | VDS=40V,ID=25A,VGS=10V | 25 | nC |
| 栅漏电荷 | Q_gd | VDS=40V,ID=25A,VGS=10V | 14 | nC |
| 参数 | 符号 | 条件 | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 二极管正向电压 | V_SD | VGS=0V,ISD=50A | 0.85 | 1.4 | V |
| 反向恢复时间 | t_rr | IF=20A,DI/dt=500A/μs | 60 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Q_rr | IF=20A,DI/dt=500A/μs | 340 | - | nC |
| 替代说明 | 平替替代型号 |
|---|---|
|
相近规格 TO-252封装 N沟道大电流 低内阻mos管 |
IPD053N08N3-G NCE80H12 NCE80H15 DP090NE6DTN IRLR3410TRPBF |
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