KCB3008A TO-263 封装 85V160A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-10-08
KCB3008A TO-263 封装 85V160A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻 4.5mΩ 大电流低发热 同步整流电机驱动 MOS管
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KCB3008A规格书
型号：KCB3008A
品牌：KIA
封装：TO-263
沟道类型：N-Channel
技术工艺：先进SGT工艺
产品定位：85V大电流低内阻MOSFET，面向高效率功率开关应用。
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 低导通电阻 | 典型值4.5mΩ@Vgs=10V，降低导通损耗，提升持续大电流能力。 |
| 大电流能力 | Id连续电流最高160A（硅限制），适合高功率密度应用。 |
| 优值FOM优异 | Qg×RDS(on)优值出色，兼顾低导通损耗与开关效率。 |
| 开关性能稳定 | 输入电容、输出电容和反向传输电容参数均衡，适合高频开关。 |
| 封装散热能力强 | TO-263封装功率耗散达220W，散热面积大，利于温升控制。 |
| 应用覆盖面广 | 电机驱动、同步整流、DC/DC转换器、通用电源电路均可使用。 |
| 参数 | 符号 | 条件 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | Vds | — | 85 | V |
| 连续漏极电流 | Id | Tc=25℃，硅限制 | 160 | A |
| 连续漏极电流 | Id | Tc=25℃，封装限制 | 120 | A |
| 连续漏极电流 | Id | Tc=100℃，硅限制 | 100 | A |
| 脉冲漏极电流 | Idp | Tc=25℃，tp受Tjmax限制 | 480 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | L=0.5mH，Rg=25Ω | 60 | mJ |
| 雪崩能量 | Eas | — | 560 | mJ |
| 栅源电压 | Vgs | — | ±20 | V |
| 功率耗散 | Pd | Tc=25℃ | 220 | W |
| 结温/存储温度 | Tj, Tstg | — | -55~175 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 条件 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 热阻，结-环境 | Rθja | TO-263 | 60 | ℃/W |
| 热阻，结-壳 | Rθjc | TO-263 | 0.68 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 条件 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | Vgs=0V，Id=250μA | 85 | V |
| 零栅压漏极电流 | Idss | Vds=85V，Vgs=0V，Tj=25℃ | 1 | μA |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs，Id=250μA | 2.0~4.0 | V |
| 栅极漏电流 | Igss | Vgs=±20V，Vds=0V | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | Vgs=10V，Id=50A，Tj=25℃ | 4.5~5.5 | mΩ |
| 跨导 | gfs | Vds=5V，Id=50A | 80 | S |
| 输入电容 | Ciss | Vds=40V，Vgs=0V，f=1MHz | 4030 | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=40V，Vgs=0V，f=1MHz | 545 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=40V，Vgs=0V，f=1MHz | 35 | pF |
| 开启延迟时间 | td(on) | Vdd=40V，Vgs=10V，RL=3Ω | 20 | ns |
| 上升时间 | tr | Vdd=40V，Vgs=10V，RL=3Ω | 38 | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=40V，Vgs=10V，RL=3Ω | 45 | ns |
| 下降时间 | tf | Vdd=40V，Vgs=10V，RL=3Ω | 20 | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | Vds=40V，Id=25A，Vgs=10V | 65 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=40V，Id=25A，Vgs=10V | 25 | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=40V，Id=25A，Vgs=10V | 14 | nC |
| 二极管正向电压 | Vsd | Vgs=0V，Isd=50A | 0.85~1.4 | V |
| 反向恢复时间 | trr | If=20A，di/dt=500A/μs | 60 | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | If=20A，di/dt=500A/μs | 340 | nC |
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 封装型号 | TO-263 |
| 引脚配置 | 1=Source，2=Drain，3=Gate |
| 封装类型 | 贴片功率封装 |
| 散热路径 | Drain接大面积焊盘，利于导热 |
| 包装形式 | 标准SMD盘装/编带 |
| 应用 | 说明 |
|---|---|
| 电机驱动 | 适合大电流开关控制，持续负载能力强。 |
| 同步整流 | 低RDS(on)降低整流损耗，提升电源效率。 |
| DC/DC转换器 | 适合低压大电流拓扑，兼顾导通与开关性能。 |
| 功率开关 | 用于高电流负载开关、保护电路及电源管理。 |
| 通用电源 | 适配工业电源、车载电源与大功率供电模块。 |
| 型号 | 品牌 | 封装 | 关键参数 |
|---|---|---|---|
| KCB3008A | KIA | TO-263 | 85V，160A，4.5mΩ，220W，Qg=65nC |
| KCY3008A | KIA | DFN-8 | 85V，120A，4.5mΩ，90W，Qg=65nC |
| KCD3008A | KIA | TO-252 | 85V，100A，4.5mΩ，85W，Qg=65nC |
| IRF7477 | Infineon | TO-252 | 80V，110A，4.5mΩ，150W，Qg=68nC |
| IRFS7477 | Infineon | TO-263 | 80V，110A，4.5mΩ，200W，Qg=68nC |
| NCE80H12 | NCE | TO-263 | 80V，120A，4.5mΩ，200W，Qg=70nC |
| NCE80H15 | NCE | TO-263 | 80V，150A，5.0mΩ，200W，Qg=75nC |
| IPD053N08N3 | Infineon | TO-252 | 80V，100A，5.3mΩ，120W，Qg=60nC |
| HY3508 | HY | TO-263 | 80V，150A，4.5mΩ，200W，Qg=65nC |
| HY3708 | HY | TO-263 | 80V，170A，4.0mΩ，250W，Qg=72nC |
| FMV150N08 | 富满 | TO-263 | 80V，150A，4.5mΩ，200W，Qg=68nC |
| FMV170N08 | 富满 | TO-263 | 80V，170A，4.0mΩ，250W，Qg=75nC |
| AP85H15M | AP | TO-263 | 85V，150A，4.5mΩ，210W，Qg=66nC |
| AP85H17M | AP | TO-263 | 85V，170A，4.0mΩ，250W，Qg=74nC |
| SM7477 | SM | TO-263 | 80V，120A，4.5mΩ，200W，Qg=68nC |
KCB3008A是KIA推出的85V N沟道功率MOSFET，采用先进SGT工艺，具备低导通电阻、大电流能力和优异FOM优值。
产品连续漏极电流最高可达160A，导通电阻低至4.5mΩ，适合电机驱动、同步整流、DC/DC转换器和高功率密度电源应用。
TO-263封装提供220W功率耗散能力，散热性能稳定，有助于降低系统温升，提升整机可靠性与长期工作寿命。
KCB3008A可作为80V~85V、100A~170A级别大电流MOSFET的高性价比选型，并支持多封装系列配套。
KCB3008A是KIA品牌TO-263封装N沟道MOSFET，额定耐压85V，连续电流160A，导通电阻典型值4.5mΩ，功率耗散220W。产品采用先进SGT工艺，具备低导通损耗、优异FOM优值和稳定开关性能，广泛用于电机驱动、同步整流、DC/DC转换器、功率开关和通用电源电路。本文提供KCB3008A规格参数、封装信息、应用领域及替代型号清单。
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