KNB3610A TO-263 100V60A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
信息来源:本站 日期:2026-10-12
KNB3610A TO-263 100V60A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
KIA KNB3610A 贴片 MOS 管 低 Rds (on) 高雪崩耐量电源开关 mos管
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KNB3610A规格书
| 产品型号 | KNB3610A |
| 品牌 | KIA 爱搜半导体 |
| 封装 | TO-263 |
| 产品类型 | N-CHANNEL MOSFET N沟道mos管 |
| 规格 | 100V,60A |
| 产品描述 | KNX3610A采用先进沟槽工艺,低Rds(on)、低栅极电荷,适配多类电源开关应用。 |
|
|
| 引脚 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极 |
| 2 | Drain 漏极 |
| 3 | Source 源极 |
| 4 | Drain 漏极 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 100 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 60 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 240 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 250 | mJ |
| 25℃以上降额系数 | PD | 160 | W/℃ |
| 结温与存储温度 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
| 符号 | 参数名称 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| RθJC | 结到外壳热阻 | 0.93 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 关态特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源正向漏电流 | IGSS(F) | VGS=+20V | - | - | 100 | nA |
| 栅源反向漏电流 | IGSS(R) | VGS=-20V | - | - | -100 | nA |
| 开态特性 | ||||||
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=20A | - | 17 | 20 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V,ID=20A | - | 20 | - | S |
| 动态特性 | ||||||
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=80V,VGS=10V,ID=30A | - | 82 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 24 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 28 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=50V,ID=30A,RGEN=3Ω,VGS=10V | - | 13 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 10 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 21 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 18 | - | ns | |
| 电容特性 VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz | ||||||
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz | - | 3830 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz | - | 235 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz | - | 208 | - | pF |
| 体二极管特性 | ||||||
| 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V,IS=20A | - | - | 1.2 | V |
KNB3610A(TO-263封装)平替替代型号清单
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KNB3610A,KIA半导体100V/60A N沟道mos管,TO-263贴片封装。 采用先进沟槽工艺,导通电阻低、栅电荷小,开关损耗低。 高雪崩耐量EAS,器件抗冲击强,一致性好,散热优异。 适用于电源开关、高频硬开关电路、UPS不间断电源方案。 原厂稳定供货,可直接贴片焊接,批量现货支持样品测试。 |
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