KCD9310A TO-252 100V N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低 Rds (on) 低栅电荷，电源同步整流优选 MOS 管
KCD9310A，KCD9310A MOS管，TO-252 N 沟道 MOS管，
100V MOS管，同步整流 MOS管，KIA-MOS管
KCD9310A规格书
|
KCD9310A N沟道MOS管 产品基础信息
|
|
型号
|
KCD9310A（9310A）
|
|
品牌
|
KIA SEMICONDUCTORS
|
|
封装
|
TO-252
|
|
类型
|
N-CHANNEL MOSFET
|
|
工艺
|
SGT MOSFET 新平面专利技术
|
|
KCD9310A（TO-252封装）绝对最大额定参数(Tc=25℃)
|
|
VDSS漏源电压
|
100V
|
|
VGSS栅源电压
|
±20V
|
|
ID连续漏极电流
|
42A
|
|
IDM脉冲漏极电流
|
168A
|
|
EAS单脉冲雪崩能量
|
100mJ
|
|
PD功耗
|
61W
|
|
降额系数(＞25℃)
|
0.49W/℃
|
|
焊接温度
|
300℃(10s)
|
|
工作存储温区
|
-55℃ ~ +150℃
|
|
KCD9310A（TO-252封装）热特性参数
|
|
RθJC结到壳热阻
|
2.05℃/W
|
|
RθJA结到环境热阻
|
75℃/W
|
|
KCD9310A（TO-252封装）电气特性(Tj=25℃)
|
|
BVDSS漏源击穿电压
|
100V
|
|
IDSS漏源漏电流
|
≤1uA@VDS=100V
|
|
IGSS栅源漏电流
|
±100nA
|
|
RDS(ON)导通电阻@VGS=10V
|
典型15mΩ，最大20mΩ
|
|
RDS(ON)导通电阻@VGS=4.5V
|
典型21mΩ，最大30mΩ
|
|
VGS(TH)栅极阈值电压
|
1.1~2.5V，典型2V
|
|
gfs正向跨导
|
典型29S
|
|
Ciss输入电容
|
典型935pF
|
|
Crss反向传输电容
|
典型6pF
|
|
Coss输出电容
|
典型155pF
|
|
Qg总栅电荷
|
典型20nC
|
|
Qgs栅源电荷
|
典型5nC
|
|
Qgd栅漏米勒电荷
|
典型5nC
|
|
td(on)开通延迟时间
|
典型5ns
|
|
trise上升时间
|
典型20ns
|
|
td(off)关断延迟时间
|
典型26ns
|
|
tfall下降时间
|
典型8ns
|
|
ISD连续源极电流
|
42A
|
|
ISM脉冲源极电流
|
168A
|
|
VSD正向体二极管压降
|
最大1.2V
|
|
trr反向恢复时间
|
典型35ns
|
|
Qrr反向恢复电荷
|
典型40uC
|
|
KCD9310A（TO-252封装）引脚定义 TO-252
|
|
引脚1
|
Gate 栅极
|
|
引脚2
|
Drain 漏极
|
|
引脚3
|
Source 源极
|
|
KCD9310A（TO-252封装）产品特性
|
|
SGT MOSFET 先进工艺
|
|
专利全新平面技术
|
|
低Rds(on)，导通损耗小
|
|
低栅电荷，降低开关损耗
|
|
快速恢复体二极管
|
|
KCD9310A（TO-252封装）应用场景
|
|
同步整流电路
|
|
UPS不间断电源逆变器
|
|
平替替代型号清单
|
KCD9310A平替备选：
① IRFR3710
② FDD8896
③ NTD4960N
④ AOD4184
⑤ STS410
|
|
KCD9310A（TO-252封装）营销卖点（客户痛点）
|
|
低导通电阻，降低电源发热
|
|
低栅电荷，高速开关损耗更低
|
|
快恢复体二极管，减少反向冲击
|
|
TO-252贴片封装，便于SMT生产
|
|
原厂KIA，支持送样，现货稳定
|
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
