KCB3010A TO-263 100V N沟道MOS管｜KIA-MOS管
KIA KCB3010A贴片MOS管 4mΩ低内阻电机驱动mos管
KCB3010A,KIA MOS管,TO-263 mos管,100V N沟道MOS管,4mΩ低内阻mos管,
电机驱动mos管,SGT工艺mos管,高速开关mos管
KCB3010A规格书
KCB3010A N沟道mos管产品参数
KCB3010A（TO-263封装）产品简介
|
产品型号
|
KCB3010A
|
|
品牌
|
KIA SEMICONDUCTORS
|
|
封装
|
TO-263
|
|
产品类型
|
N-CHANNEL MOSFET N沟道mos管
|
|
规格
|
100V，典型Rds(on)=4.0mΩ
|
|
产品描述
|
KCB3010A采用SGT双沟槽工艺，降低导通损耗，提升开关性能与雪崩能量，适配电机驱动、高速开关电路。
|
KCB3010A（TO-263封装）产品特性
-
开关速度快
-
低导通电阻，典型Rds(on)=4.0mΩ
-
低栅极电荷
-
先进SGT工艺
-
低反向传输电容
-
高雪崩耐受能力
|
KCB3010A（TO-263封装）应用领域
KCB3010A（TO-263封装）引脚定义
|
引脚
|
功能
|
|
1
|
Gate 栅极
|
|
2
|
Drain 漏极
|
|
3
|
Source 源极
|
KCB3010A（TO-263封装）绝对最大额定参数
|
参数名称
|
符号
|
额定值
|
单位
|
|
漏源电压
|
VDS
|
100
|
V
|
|
栅源电压
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
连续漏极电流（硅极限）
|
ID
|
163
|
A
|
|
连续漏极电流（封装极限）
|
ID
|
120
|
A
|
|
TC=100℃连续漏极电流
|
ID
|
103
|
A
|
|
脉冲漏极电流
|
IDM
|
480
|
A
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
756.25
|
mJ
|
|
功耗
|
PD
|
175
|
W
|
|
25℃以上降额系数
|
|
1.4
|
W/℃
|
|
结温、存储温度
|
TJ,TSTG
|
-55~150
|
℃
|
|
最大焊接温度
|
TL
|
260
|
℃
|
KCB3010A（TO-263封装）热特性参数
|
符号
|
参数名称
|
最大值
|
单位
|
|
RθJC
|
结到外壳热阻
|
0.71
|
℃/W
|
|
RθJA
|
结到环境热阻
|
62.5
|
℃/W
|
KCB3010A（TO-263封装）电气特性(TA=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
Unit
|
|
关态特性
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=250μA
|
100
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏电流
|
IDSS
|
VDS=100V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
μA
|
|
漏源漏电流@125℃
|
IDSS
|
VDS=80V,VGS=0V
|
-
|
-
|
100
|
μA
|
|
栅源正向漏电流
|
IGSS(F)
|
VGS=+20V
|
-
|
-
|
100
|
nA
|
|
栅源反向漏电流
|
IGSS(R)
|
VGS=-20V
|
-
|
-
|
-100
|
nA
|
|
开态特性
|
|
漏源导通电阻
|
RDS(on)
|
VGS=10V,ID=30A
|
-
|
4.0
|
4.5
|
mΩ
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(th)
|
VDS=VGS,ID=250μA
|
2.0
|
-
|
4.0
|
V
|
|
动态特性 VDD=50V,VGS=10V,ID=100A
|
|
总栅极电荷
|
Qg
|
VDD=50V,VGS=10V,ID=100A
|
-
|
89.5
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
-
|
44.3
|
-
|
nC
|
|
栅漏电荷
|
Qgd
|
-
|
13.2
|
-
|
nC
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
VDD=50V,ID=55A,RGEN=4.7Ω,VGS=10V
|
-
|
32
|
-
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
-
|
55
|
-
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
-
|
68.5
|
-
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
-
|
31
|
-
|
ns
|
|
电容特性 VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
|
-
|
6700
|
-
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
|
-
|
880
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
|
-
|
145
|
-
|
pF
|
|
体二极管特性
|
|
连续源极电流
|
Is
|
-
|
-
|
-
|
120
|
A
|
|
脉冲源极电流
|
ISM
|
-
|
-
|
-
|
480
|
A
|
|
二极管正向电压
|
VSD
|
VGS=0V,IS=55A
|
-
|
-
|
1.2
|
V
|
|
体二极管反向恢复时间
|
trr
|
IS=55A,VDD=80V,TJ=150℃
|
-
|
75
|
-
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
IS=55A,VDD=80V,TJ=150℃
|
-
|
220
|
-
|
nC
|
KCB3010A（TO-263封装）平替替代型号清单
-
IRL100S
-
IRF100S
-
STL180N10F7
-
IPB180N10S3L
-
AOS AOT180N10
-
NTP180N10
-
SPB170N10
-
IRL540S
|
KCB3010A（TO-263封装）产品营销推广文案
KCB3010A，KIA半导体100V N沟道mos管，TO-263贴片封装。
采用SGT双沟槽工艺，典型4mΩ超低导通电阻，导通损耗极低。
低栅电荷、低反向电容，开关速度快，雪崩耐受能力强。
适合电机驱动、高速开关电源，大电流方案发热控制优异。
原厂稳定供货，贴片SMT装配便捷，支持样品测试。
|
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
