KNP2910A TO-220 100V130A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
超低 Rds (on) 大功率 mos 管，电源同步整流专用器件
KNP2910A,KNP2910A TO-220,KIA MOS 管，100V130A N 沟道 mos 管，
大功率 mos 管，同步整流 mos 管，低导通电阻 mos 管
KNP2910A 规格书
KNP2910A TO-220 N沟道mos管
|
KNP2910A（TO-220封装）产品概述 KNP2910A（TO-220）N沟道mos管
|
|
型号
|
KNP2910A
|
|
封装
|
TO-220
|
|
品牌
|
KIA
|
|
类型
|
N-CHANNEL MOSFET
|
|
VDS
|
100V
|
|
ID连续电流(25℃)
|
130A
|
|
RDS(on)
|
典型5.0mΩ，最大7.0mΩ@VGS=10V,ID=40A
|
|
KNP2910A（TO-220封装）应用场景
|
|
|
|
产品特点
|
-
超低导通电阻RDS(on)
-
超高密单元设计
-
100%雪崩测试
-
无铅环保器件，符合RoHS
|
|
KNP2910A（TO-220封装）引脚定义
|
|
引脚
|
功能
|
|
1
|
Gate 栅极
|
|
2
|
Drain 漏极
|
|
3
|
Source 源极
|
|
KNP2910A（TO-220封装）订购信息
|
|
料号
|
封装
|
|
KNB2910A
|
TO-263
|
|
KNP2910A
|
TO-220
|
|
KNH2910A
|
TO-3P
|
|
KNP2910A（TO-220封装）绝对最大额定值(Tc=25℃)
|
|
参数
|
规格
|
|
漏源电压VDS
|
100V
|
|
栅源电压VGS
|
±25V
|
|
连续漏极电流ID(25℃)
|
130A
|
|
连续漏极电流ID(100℃)
|
99A
|
|
300us脉冲漏极电流IDP
|
560A
|
|
单脉冲雪崩能量EAS
|
552mJ
|
|
功耗PD(25℃)
|
300W
|
|
功耗PD(100℃)
|
150W
|
|
最高结温TJ
|
175℃
|
|
存储温度TSTG
|
-55~+150℃
|
|
二极管正向连续电流IS
|
140A
|
|
KNP2910A（TO-220封装）热特性
|
|
参数
|
规格
|
|
结到壳热阻RθJC
|
0.5℃/W
|
|
结到环境热阻RθJA
|
62.5℃/W
|
|
KNP2910A（TO-220封装）电气特性(Tc=25℃)
|
|
KNP2910A（TO-220封装）参数
|
规格
|
|
漏源击穿电压BVDS
|
100V@VGS=0V,ID=250μA
|
|
漏源漏电流IDSS
|
最大1μA@VDS=100V,VGS=0V
|
|
栅源阈值电压VGS(th)
|
2.0~4.0V@VDS=VGS,ID=250μA
|
|
栅总电荷Qg
|
130nC@VDS=80V,ID=70A,VGS=10V
|
|
栅源电荷Qgs
|
32nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
55nC
|
|
栅串联电阻RG
|
典型1Ω@f=1.0MHz
|
|
输入电容Ciss
|
6800pF@VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
|
|
输出电容Coss
|
630pF
|
|
反向传输电容Crss
|
350pF
|
|
体二极管正向电压VSD
|
最大1.2V@VGS=0V,IS=70A
|
|
反向恢复时间trr
|
43ns@ISD=70A,diF/dt=100A/μs
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
67nC
|
|
KNP2910A（TO-220封装）平替替代型号清单
|
-
FDP130N10
-
IRF130N10
-
STW130N10
-
SPP130N10
-
HY130N10
|
|
KNP2910A（TO-220封装）产品营销说明
|
KNP2910A是KIA高性能N沟道mos管，TO-220封装，耐压100V，连续电流130A。
具备极低导通电阻，开关损耗小，适合电源同步整流、大功率高速开关场景。
通过100%雪崩测试，可靠性强，RoHS环保，大功率电源方案优选器件。
|
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
