KCP2915B TO-220 150V130A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
信息来源:本站 日期:2026-10-15
KCP2915B TO-220 150V130A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
低 Rds (on) 7.3mΩ 高雪崩 EAS,快充 / LED 电源专用大功率 mos 管
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KCP2915B规格书
| KCP2915B TO-220 产品概述 | |
|---|---|
| 型号 | KCP2915B |
| 产品类型 | N-CHANNEL MOSFET(N沟道mos管) |
| 封装 | TO-220 |
| 品牌 | KIA |
| 规格 | 130A,150V |
| 核心工艺 | SGT MOSFET,Advanced Trench MOS |
| 产品亮点 | 低栅极电荷,低Rds(on),100% EAS保障,环保器件 |
| 典型Rds(on) | 7.3mΩ@VGS=10V |
| 应用领域 | 负载开关、LED设备、网络设备、快充充电器 |
| KCP2915B TO-220 引脚定义 Pin configuration | |||
|---|---|---|---|
| 引脚序号 | 功能 | ||
| 1 | Gate 栅极G | ||
| 2 | Drain 漏极D | ||
| 3 | Source 源极S | ||
| KCP2915B TO-220 绝对最大额定值(TC=25℃) | |||
|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
| 漏源电压 | VDS | 150 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流(TC=25℃) | ID | 130 | A |
| 连续漏极电流(TC=100℃) | ID | 80 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 450 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 784 | mJ |
| 雪崩电流 | IAS | 56 | A |
| 总耗散功率 | PD | 178 | W |
| 结温范围 | TJ | -55 ~ 150 | ℃ |
| 存储温度 | TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| KCP2915B TO-220 热特性参数 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 结到环境热阻 | RθJA | - | 50 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | - | 0.7 | ℃/W |
| KCP2915B TO-220 电气特性参数(TJ=25℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 150 | - | - | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=20A | - | 7.3 | - | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=250uA | 2 | 3 | 4 | V |
| 漏源漏电流TJ=25℃ | IDSS | VDS=120V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 漏源漏电流TJ=55℃ | IDSS | VDS=120V,VGS=0V | - | - | 5 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz | - | 1.9 | - | Ω |
| 总栅电荷 | Qg | VDS=75V,VGS=10V,ID=20A | - | 110 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 25.9 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 31.8 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | Td(on) | VDD=30V,VGS=10V,RG=3.3Ω,ID=1A | - | 33 | - | ns |
| 上升时间 | Tr | - | 26 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | Td(off) | - | 98 | - | ns | |
| 下降时间 | Tf | - | 90 | - | ns | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=75V,VGS=0V,f=1MHz | - | 5750 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 414 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 9.5 | - | pF | |
| 连续源极电流 | Is | VG=VD=0V,强制电流 | - | - | 130 | A |
| 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V,IS=1A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
|
平替替代型号清单
|
|---|
|
| 产品营销简介 | |
|---|---|
| 产品卖点 |
采用SGT沟槽mos工艺,极低导通电阻,大电流130A耐压150V,栅电荷小,开关损耗低。 100%雪崩EAS全检,可靠性高,TO-220封装散热好,适合大功率快充、LED电源、网络电源、负载开关。 |
| 适用场景 | 大功率快充电源、LED驱动电源、工业网络供电、大电流负载开关、DC-DC变换器。 |
| 选型优势 | 低内阻降低发热,大电流承载,抗雪崩能力强,环保无铅器件,国产替代稳定供货。 |
座机:0755-83888366-8022
手机:18123972950(微信同号)
QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)
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