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KCP2915B TO-220 150V130A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-10-15 

KCP2915B TO-220 150V130A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

低 Rds (on) 7.3mΩ 高雪崩 EAS,快充 / LED 电源专用大功率 mos 管

KCP2915B

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KCP2915B规格书

KCP2915B规格书

KCP2915B N沟道mos管 130A 150V TO-220

KCP2915B TO-220 产品概述
型号 KCP2915B
产品类型 N-CHANNEL MOSFET(N沟道mos管)
封装 TO-220
品牌 KIA
规格 130A,150V
核心工艺 SGT MOSFET,Advanced Trench MOS
产品亮点 低栅极电荷,低Rds(on),100% EAS保障,环保器件
典型Rds(on) 7.3mΩ@VGS=10V
应用领域 负载开关、LED设备、网络设备、快充充电器
KCP2915B TO-220 引脚定义 Pin configuration
引脚序号 功能
1 Gate 栅极G
2 Drain 漏极D
3 Source 源极S
KCP2915B TO-220 绝对最大额定值(TC=25℃)
参数名称 符号 额定值 单位
漏源电压 VDS 150 V
栅源电压 VGS ±20 V
连续漏极电流(TC=25℃) ID 130 A
连续漏极电流(TC=100℃) ID 80 A
脉冲漏极电流 IDM 450 A
单脉冲雪崩能量 EAS 784 mJ
雪崩电流 IAS 56 A
总耗散功率 PD 178 W
结温范围 TJ -55 ~ 150 ℃
存储温度 TSTG -55 ~ 150 ℃
KCP2915B TO-220 热特性参数
参数名称 符号 典型值 最大值 单位
结到环境热阻 RθJA - 50 ℃/W
结到外壳热阻 RθJC - 0.7 ℃/W
KCP2915B TO-220 电气特性参数(TJ=25℃)
参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250uA 150 - - V
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=20A - 7.3 - mΩ
栅极阈值电压 VGS(th) VGS=VDS,ID=250uA 2 3 4 V
漏源漏电流TJ=25℃ IDSS VDS=120V,VGS=0V - - 1 uA
漏源漏电流TJ=55℃ IDSS VDS=120V,VGS=0V - - 5 uA
栅源漏电流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V - - ±100 nA
栅极电阻 Rg VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz - 1.9 - Ω
总栅电荷 Qg VDS=75V,VGS=10V,ID=20A - 110 - nC
栅源电荷 Qgs - 25.9 - nC
栅漏电荷 Qgd - 31.8 - nC
开通延迟时间 Td(on) VDD=30V,VGS=10V,RG=3.3Ω,ID=1A - 33 - ns
上升时间 Tr - 26 - ns
关断延迟时间 Td(off) - 98 - ns
下降时间 Tf - 90 - ns
输入电容 Ciss VDS=75V,VGS=0V,f=1MHz - 5750 - pF
输出电容 Coss - 414 - pF
反向传输电容 Crss - 9.5 - pF
连续源极电流 Is VG=VD=0V,强制电流 - - 130 A
二极管正向电压 VSD VGS=0V,IS=1A,TJ=25℃ - - 1.2 V

平替替代型号清单

KCP2915B

  • IRFP4568
  • FDP150N15
  • SPP15N100
  • STW15NK50Z
  • IRF150P218
产品营销简介
产品卖点 采用SGT沟槽mos工艺,极低导通电阻,大电流130A耐压150V,栅电荷小,开关损耗低。
100%雪崩EAS全检,可靠性高,TO-220封装散热好,适合大功率快充、LED电源、网络电源、负载开关。
适用场景 大功率快充电源、LED驱动电源、工业网络供电、大电流负载开关、DC-DC变换器。
选型优势 低内阻降低发热,大电流承载,抗雪崩能力强,环保无铅器件,国产替代稳定供货。

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KCP2915B

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