KNP2915A TO-220 150V130A N 沟道 MOS 管｜KIA-MOS 管
低导通内阻，低发热，电机 / BMS/UPS 功率开关 MOS管
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电机驱动 MOS管，BMS 功率 MOS管
KNP2915A规格书
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KNP2915A（TO-220封装）产品基础信息
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产品型号
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KNP2915A
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封装
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TO-220
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同系列型号
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KNB2915A（TO-263）
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管类型
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N沟道MOS管
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品牌
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KIA
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KNP2915A（TO-220封装）核心参数｜最大额定值
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VDSS漏源电压
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150V
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ID连续漏电流(25℃硅限)
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130A
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ID连续漏电流(25℃封装限)
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160A
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ID连续漏电流(100℃硅限)
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80A
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IDP脉冲漏电流
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500A
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EAS单脉冲雪崩能量
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272mJ
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VGS栅源电压
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±25V
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Ptot耗散功率(25℃)
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428W
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结温&存储温度
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-55 ~ 150℃
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KNP2915A（TO-220封装）热特性参数
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RθJA结到环境热阻
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0.29℃/W
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RθJC结到外壳热阻
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65℃/W
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KNP2915A（TO-220封装）静态电气参数(Tj=25℃)
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BVDSS漏源击穿电压
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150V
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IDSS零栅压漏电流(25℃)
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0.05μA(典型)，最大1μA
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IDSS零栅压漏电流(150℃)
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最大20μA
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VGS(th)栅阈值电压
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3~5V，典型4V
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IGSS栅极漏电流
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10nA(典型)，最大100nA
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RDS(on)导通电阻(VGS=10V)
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10mΩ(典型)，最大15mΩ
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RDS(on)导通电阻(VGS=4.5V)
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22mΩ(典型)，最大27mΩ
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gfs正向跨导
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100S(典型)
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KNP2915A（TO-220封装）动态电气参数
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RG栅极电阻
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1.5Ω(典型)
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Ciss输入电容
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3560pF(典型)
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Coss输出电容
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330pF(典型)
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Crss反向传输电容
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90pF(典型)
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td(on)开通延迟时间
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18ns(典型)
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tr上升时间
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92ns(典型)
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td(off)关断延迟时间
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35ns(典型)
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tf下降时间
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70ns(典型)
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KNP2915A（TO-220封装）栅电荷参数
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Qg总栅电荷
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70nC(典型)
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Qgs栅源电荷
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24nC(典型)
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Qgd栅漏电荷
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25nC(典型)
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KNP2915A（TO-220封装）体二极管参数
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VSD二极管正向电压
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1.3V(典型)
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trr反向恢复时间
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70ns(典型)
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Qrr反向恢复电荷
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233nC(典型)
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KNP2915A（TO-220封装）产品特性亮点
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特性
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1.采用先进沟槽工艺
2.极低导通电阻Rds(on)
3.优异FOM品质因子Qg×Rds(on)
4.符合JEDEC可靠性标准
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KNP2915A（TO-220封装）应用领域
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适用场景
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电机控制驱动
电池管理BMS
UPS不间断电源
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KNP2915A（TO-220封装）引脚定义
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Pin1
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Gate栅极
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Pin2
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Drain漏极
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Pin3
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Source源极
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KNP2915A（TO-220封装）平替替代型号清单
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平替型号
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品牌
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核心参数
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选型备注
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FDP075N15A
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安森美onsemi
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150V/130A TO-220
Rds(on)=7.5mΩ
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进口经典对标料，硬开关性能好，交期偏长
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NCEP15T14
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新洁能NCE
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150V/140A TO-220
Rds(on)=7.0mΩ
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国产，电流余量更大，BMS、控制器优选
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CRST073N15N
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华润微
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150V/130A TO-220
Rds(on)=7.3mΩ
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SkyMOS沟槽工艺，低栅电荷，UPS大功率适用
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MT130N15A
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华微电子
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150V/130A TO-220
Rds(on)=8.5mΩ
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国产稳定供货，适合电机驱动低成本方案
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KNP2915A
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KIA可易亚
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150V/130A TO-220
SGT工艺
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原厂本体，低Qg，现货稳定，一站式样品支持
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型号CKNP2915A产品营销文案客户痛点解决大功率电路发热高、损耗大；
传统MOS管FOM差，开关效率低；
电机、BMS电源方案可靠性不足。产品优势
KNP2915A TO-220 N沟道MOS管，150V/130A
，低Rds(on)，优秀FOM值，降低导通损耗，
JEDEC认证，大功率电机、BMS、UPS优选，KIA原厂供货。
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