KCP2920A TO-220 200V130A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
SGT 工艺低内阻，可替代 IRFP4668，现货直插 mos管
KCP2920A，TO-220，200V130A，N 沟道 MOS管，IRFP4668替代，
储能逆变器 mos管，大功率场效应管
KCP2920A规格书
KCP2920A N沟道MOS管参数表
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KCP2920A（TO-220）N沟道MOS管｜KIA 2920A系列
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型号
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KCP2920A
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封装
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TO-220
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品牌
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KIA可易亚
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沟道类型
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N-CHANNEL N沟道
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工艺
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SGT MOSFET，高级沟槽工艺
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KCP2920A（TO-220封装）产品核心亮点
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Rds(on)典型9.0mΩ@VGS=10V，导通损耗低
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低栅极电荷，减小开关损耗，适合高频应用
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快恢复体二极管，适配同步整流场景
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国产现货，可替代进口大功率MOS管，供货稳定
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绝对最大额定参数(Tc=25℃)
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KCP2920A（TO-220封装）参数名称
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符号
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额定值
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单位
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漏源电压
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VDSS
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200
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V
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栅源电压
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VGSS
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±20
|
V
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连续漏极电流(25℃)
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ID
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130
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A
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连续漏极电流(100℃)
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ID
|
75
|
A
|
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脉冲漏极电流
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IDM
|
440
|
A
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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2000
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mJ
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二极管恢复峰值dv/dt
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dv/dt
|
5.0
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V/ns
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功耗
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PD
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278
|
W
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25℃以上降额系数
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PD
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2.22
|
W/℃
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引脚焊接最高温度
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TL
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300(10s)
|
℃
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封装本体焊接温度
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TPAK
|
260(10s)
|
℃
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工作/存储温度范围
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TJ&TSTG
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-55 ~ +150
|
℃
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热特性参数
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KCP2920A（TO-220封装）参数名称
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符号
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额定值
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单位
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结到壳热阻
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RθJC
|
0.45
|
℃/W
|
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结到环境热阻
|
RθJA
|
62
|
℃/W
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电气特性(Tj=25℃)
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KCP2920A（TO-220封装）参数名称
|
符号
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规格
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单位
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漏源击穿电压
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BVDSS
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Min:200V
|
V
|
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漏源漏电流(Vds=200V)
|
IDSS
|
Max:1uA
|
uA
|
|
漏源漏电流(125℃,160V)
|
IDSS
|
Max:100uA
|
uA
|
|
栅源漏电流
|
IGSS
|
Max:±100nA
|
nA
|
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导通电阻@VGS=10V,Id=35A
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RDS(ON)
|
Typ:9.0 Max:10.5
|
mΩ
|
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栅极阈值电压
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VGS(TH)
|
2.5~4.5
|
V
|
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输入电容
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CISS
|
Typ:10686
|
pF
|
|
反向传输电容
|
CRSS
|
Typ:18
|
pF
|
|
输出电容
|
COSS
|
Typ:392
|
pF
|
|
总栅极电荷
|
Qg
|
Typ:143
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
Typ:46
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷
|
Qgd
|
Typ:25
|
nC
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
Typ:45
|
ns
|
|
上升时间
|
trise
|
Typ:20
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
Typ:86
|
ns
|
|
下降时间
|
tfall
|
Typ:16
|
ns
|
|
连续源极电流
|
ISD
|
110
|
A
|
|
脉冲源极电流
|
ISM
|
440
|
A
|
|
体二极管正向压降
|
VSD
|
Typ:1.2
|
V
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
Typ:185
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
Typ:469
|
uC
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引脚定义 TO-220
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引脚序号
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1
|
2
|
3
|
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引脚功能
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Gate栅极
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Drain漏极
|
Source源极
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KCP2920A（TO-220封装）同系列料号（多封装可选）
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KCB2920A
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TO-263
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KCP2920A
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TO-220
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KCM2920A
|
TO-247
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应用场景
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DC-DC变换器、高频开关电路、同步整流
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KCP2920A（TO-220封装）平替替代型号清单
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● 200V/130A TO220 N沟道MOS
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● 可替代同规格进口SGT大功率管
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● 低内阻高频同步整流MOS管
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联系方式：邹先生
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QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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