KIA20N50HH TO-3P 500V20A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
替代 20N50 系列,抗浪涌低发热,告别莫名炸管
KIA20N50HH,TO-3P 20N50,500V 大功率 mos管,
高雪崩 mos管,电源 mos管平替
KIA20N50HH规格书
KIA20N50HH TO-3P N沟道MOS管产品详情
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一、KIA20N50HH(TO-3P封装)产品基础信息
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产品型号
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KIA20N50HH
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产品类型
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N沟道增强型MOS管
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封装形式
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TO-3P大功率直插封装
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品牌厂商
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KIA可易亚半导体
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执行标准
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RoHS环保无铅,100%雪崩测试
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二、KIA20N50HH(TO-3P封装)核心电气参数
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漏源电压Vdss
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500V
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连续漏极电流Id
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20A
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脉冲漏极电流Idm
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80A
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导通电阻Rds(on)
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0.21Ω
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栅源电压Vgs
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±30V
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总功率耗散Pd
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280W
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单脉冲雪崩能量Eas
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1110mJ
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总栅极电荷Qg
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70nC
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输入电容Ciss
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2700PF
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输出电容Coss
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400PF
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反向传输电容Crss
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40PF
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开通延迟时间td(on)
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100nS
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关断延迟时间td(off)
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100nS
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上升时间tr
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400ns
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下降时间tf
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100ns
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工作温度范围
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-55℃~+175℃
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三、KIA20N50HH(TO-3P封装)产品优势卖点
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核心优势1
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低导通电阻,降低发热,整机效率更高
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核心优势2
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低栅极电荷,开关速度快,开关损耗更小
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核心优势3
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高雪崩耐量,抗浪涌,不易炸管,稳定性强
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核心优势4
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TO-3P大功率封装,散热优良,适配大功率电源
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核心优势5
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改进dv/dt性能,抑制干扰,EMC表现更好
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适用场景
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逆变器、开关电源、PFC电源、焊机、大功率LED电源
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供货保障
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原厂现货充足,支持免费试样,批量稳定供货
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四、KIA20N50HH(TO-3P封装)平替替代型号清单(TO-3P/TO-247兼容封装)
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FQPF20N50
FQA20N50C
SVF20N50F
CS20N50FA9R
FHA20N50
SIHG20N50C
IXFH24N50
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联系方式:邹先生
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