KNH7150A TO-3P 20A500V N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
TO-3P 低结壳热阻，大散热，高压电源不易炸管
KNH7150A，TO-3P mos管，20A500V 高压 mos管，N 沟道 MOSFET，
电源 mos管，不易炸管 mos，KIA 半导体
KNH7150A规格书
KNH7150A TO-3P N沟道mos管产品参数
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一、KNH7150A（TO-3P封装）产品基础信息
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产品型号
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KNH7150A
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封装类型
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TO-3P直插封装
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沟道类型
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N沟道增强型mos管
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制造工艺
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新型平面高压VDMOS工艺
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二、KNH7150A（TO-3P封装）核心电气参数（Tc=25℃）
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漏源耐压Vdss
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500V
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连续漏极电流Id
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20A
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导通电阻RDS(on)
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0.24Ω@VGS=10V
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栅源电压VGS
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±30V
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阈值电压VGS(th)
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2V
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最大功耗Pd
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275W
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总栅极电荷Qg
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65nC
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输入电容Ciss
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2650pF
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输出电容Coss
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255pF
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反向传输电容Crss
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34pF
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开通延迟时间
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34ns
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关断延迟时间
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164ns
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上升时间
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76ns
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下降时间
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85ns
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工作温度范围
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-55℃~+150℃
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三、KNH7150A（TO-3P封装）产品核心优势
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优势1
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低栅极电荷，开关损耗更小
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优势2
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内置快恢复体二极管，抗冲击强
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优势3
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雪崩耐量高，长期工作稳定性好
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优势4
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TO-3P大封装，散热性能优异
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四、KNH7150A（TO-3P封装）主流应用场景
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场景1
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大功率AC-DC开关电源、充电器
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场景2
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车载逆变器、工业逆变电源
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场景3
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高压DC-DC转换器、PFC电路
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场景4
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大功率电机驱动、高压H桥电路
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五、KNH7150A（TO-3P封装）平替替代型号清单
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可直接替代型号
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SVF20NE50PN
FHA20N50
TSA20N50M
PTW20N50
IRFB20N50K(改封装可用)
KNF7150A
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六、KNH7150A（TO-3P封装）官网产品介绍
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产品卖点文案
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KNH7150A TO-3P 20A500V N沟道mos管，
采用平面工艺，低内阻、低开关损耗，
大封装散热强，现货充足，可直接替换
20N50系列器件，适配大功率电源与逆变
设备，国产高性价比替代进口mos管。
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KNH7150A TO-3P 20A500V N沟道mos管｜KIA-mos管
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采购优势
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原厂直供、长期稳定供货，支持批量订货，
可提供样品测试，交期短，成本优于进口型号。
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联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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