KIA7115参数指标

KIA 7115a是性能最高的沟槽N - ch MOSFETs，具有极高的单元密度，为大多数同步buck转换器应用提供了优异的RDSON和栅极电荷。KIA 7115a符合RoHs和绿色产品要求，100 % EAS，功能可靠性得到认可。

特征

RDS(on)=77mΩ @ VGS=10V

超低栅极电荷

绿色设备可用

优良的Cdv / dt效应下降

先进的高单元密度沟槽技术

参数

产品型号：KIA7115

工作方式：20A/150V

漏源电压：150V

栅源电压：±20V

漏电流连续：14A

脉冲漏极电流：40A

雪崩电流：18A

雪崩能量：53mJ

耗散功率：72.6W

热电阻：60℃/W

漏源击穿电压：150V

栅极阈值电压：1.2V

输入电容：2285PF

输出电容：110PF

上升时间：8.2 ns

封装形式：TO-251、TO-252

	KIA7115AD/AU
产品编号	KIA7115（20A 150V）
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	KIA 7115a是性能最高的沟槽N - ch MOSFETs，具有极高的单元密度，为大多数同步buck转换器应用提供了优异的RDSON和栅极电荷。
产品特征	RDS(on)=77mΩ @ VGS=10V 超低栅极电荷绿色设备可用优良的Cdv / dt效应下降先进的高单元密度沟槽技术
封装形式	TO-251、TO-252
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LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
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