KPY3203D DFN5*6 -30V -100A P 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻 3.7mΩ 大电流 P 沟道 MOS 管，低发热抗雪崩
KPY3203D,KIA P 沟道 MOS管，DFN5*6 MOS管，-30V -100A MOS管，
低内阻 P 沟道 mos管，锂电保护 mos管，电源反接保护 mos管
KPY3203D规格书
KPY3203D P沟道mos管产品参数
|
一、KPY3203D（DFN5*6封装）产品基础信息
|
|
产品型号
|
KPY3203D（P沟道mos管）
|
|
封装形式
|
DFN5*6贴片封装
|
|
沟道类型
|
P沟道低压大电流功率mos管
|
|
制造工艺
|
高细胞密度沟槽工艺，低损耗
|
|
核心卖点
|
Rds(on)仅3.5mΩ，栅电荷低，开关损耗小
|
|
二、KPY3203D（DFN5*6封装）电气极限参数（绝对值）
|
|
漏源电压Vdss
|
-30V
|
|
连续漏极电流Id
|
-100A
|
|
脉冲漏极电流Idp
|
-400A
|
|
栅源电压Vgs
|
±20V
|
|
阈值电压Vgs(th)
|
-1.7V
|
|
单脉冲雪崩能量Eas
|
312mJ
|
|
最大耗散功率Pd
|
62.5W
|
|
工作温度范围
|
-55℃～+175℃
|
|
三、KPY3203D（DFN5*6封装）电容与开关时序参数
|
|
导通电阻Rds(on)
|
3.5mΩ@Vgs=10V
|
|
总栅极电荷Qg
|
130nC@10V
|
|
输入电容Ciss
|
7500pF
|
|
输出电容Coss
|
1000pF
|
|
反向传输电容Crss
|
900pF
|
|
开通延迟时间Td(on)
|
22ns
|
|
关断延迟时间Td(off)
|
110ns
|
|
上升时间Tr
|
30ns
|
|
下降时间Tf
|
40ns
|
|
四、KPY3203D（DFN5*6封装）平替替代型号清单
|
|
可直接代换型号
|
AD30P30D3
AP30P100
SPP30P100
WPM30P100
PMV30XP100
|
|
五、产品应用场景
|
|
主流应用电路
|
电源反接保护、锂电保护板、电机驱动
|
|
设备领域
|
电动工具、无人机、车载电源、快充电源
|
|
电路优势
|
大电流低内阻，降低导通发热，提升效率
|
|
六、KPY3203D（DFN5*6封装）官网产品介绍
|
|
产品标题
|
KPY3203D DFN5*6 -30V -100A P沟道mos管｜KIA-mos管
|
|
核心宣传语
|
超低3.5mΩ内阻，大电流低损耗，现货直供
|
|
品质保障
|
100%EAS雪崩测试，抗浪涌，一致性高
|
|
供货优势
|
国产替代进口，交期短，批量价格更优
|
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
