KPD6610B TO-252 -100V -15A P 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
100% EAS 雪崩保障，低内阻电源反接保护 P 沟道 mos管
KPD6610B,KIA P 沟道 MOS管，TO-252 MOS管，
-100V -15A MOS管，低内阻 P 沟道 mos管，
电源反接保护 mos管，电机驱动 mos管
KPD6610B规格书
一、KPD6610B（TO-252封装）产品基础信息
|
产品型号
|
KPD6610B
|
|
产品类型
|
P沟道MOS管
|
|
封装形式
|
TO-252
|
|
品牌
|
KIA可易亚半导体
|
|
包装方式
|
编带卷盘
|
二、KPD6610B（TO-252封装）核心电气参数
|
漏源电压Vdss
|
-100V
|
|
连续漏极电流Id
|
-15A
|
|
脉冲漏极电流Idm
|
-60A
|
|
导通电阻Rds(on)
|
170mΩ@Vgs=10V
|
|
栅源电压Vgs
|
±20V
|
|
阈值电压Vgs(th)
|
-1.2V~-2.2V
|
|
总耗散功率Pd
|
61W
|
|
栅极总电荷Qg
|
19nC@10V
|
|
输入电容Ciss
|
1228pF
|
|
输出电容Coss
|
41pF
|
|
反向传输电容Crss
|
29pF
|
|
单脉冲雪崩能量EAS
|
49mJ
|
|
开通延迟时间td(on)
|
9ns
|
|
关断延迟时间td(off)
|
39ns
|
|
上升时间tr
|
6ns
|
|
下降时间tf
|
33ns
|
|
工作温度范围
|
-55℃~+150℃
|
三、KPD6610B（TO-252封装）客户痛点与产品优势
|
客户痛点
|
1.大电流开关发热严重，温升超标
2.浪涌冲击易击穿，雪崩可靠性差
3.进口MOS交期长、采购成本高
4.开关速度不稳，电源效率偏低
|
|
核心优势
|
1.低导通电阻，降低导通发热
2.100%EAS雪崩测试，抗浪涌能力强
3.国产现货，替代进口，缩短交期
4.栅电荷小，开关损耗低，效率更高
|
四、KPD6610B（TO-252封装）应用领域与使用场景
|
应用场景
|
1.电源输入反接保护电路
2.直流电机正反转控制
3.锂电充放电保护板
4.车载电源、工控负载开关
5.电动工具、电池管理模块
|
五、KPD6610B（TO-252封装）平替替代型号清单
|
兼容平替型号
|
1.PA710ED
2.AO4407A
3.SI4407DY
4.PME4407
5.KIA KPY6610B
|
|
替代说明
|
全部TO-252封装，100V/15A P沟道
，PIN对PIN直接替换
|
六、KPD6610B（TO-252封装）产品介绍
|
Title（≤30汉字）
|
KPD6610B TO-252 -100V -15A P沟道MOS管｜KIA-MOS管
|
|
网页副标题
|
低内阻抗雪崩，电源反接保护专用P沟道mos管
|
|
网页描述Description
|
KIA KPD6610B，TO-252封装P沟道MOS管
，Vds=-100V，Id=-15A，Rds(on)=170mΩ，
100%雪崩能量保障，解决大电流发热、
浪涌击穿问题；适用于电源反接保护、
电机驱动、锂电保护板、车载电源；
国产mos管现货，可直接平替进口型号。
|
|
关键词Keywords
|
KPD6610B,KIA P沟道MOS管,TO-252 MOS管
,-100V -15A MOS管,低内阻P沟道mos管,
电源反接保护mos管,电机驱动mos管
|
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
