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KIA20N50现货供应商 KIA20N50 PDF文件 20A500V参数详细资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-02-09 

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KIA20N50参数指标

KIA20n50h N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源功率因数校正。



KIA20N50特征

RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V

低栅极电荷(典型的70nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


KIA20N50参数

产品型号:KIA20N50

工作方式:20A/500V

漏源电压:500V

栅源电压:±30V

漏电流连续:13A

脉冲漏极电流:80A

雪崩能量:110mJ

耗散功率:41.5W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:500V

温度系数:0.5V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:2700 PF

输出电容:400 PF

上升时间:400 ns

封装形式:TO-247、TO-220F、TO-3P



KIA20N50/HF/HH/HM
产品编号 KIA20N50(20A 500V)
FET极性 N沟道MOSFET
产品特征

RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V

低栅极电荷(典型的70nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 主要适用于为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源功率因数校正。
封装形式 TO-220F、TO-247、TO-3P
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址

www.kiaic.com

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