1、KIA7P03A产品参数 
	kia7p03a是高密度沟槽p-CH MOSFET,提供出色的导通电阻和大多数同步降压转换器应用的栅极电荷。的kia7p03a满足绿色产品要求。 
	 
 
	
	2、KIA7P03A特征 
	RDS(ON)= 18mΩ(典型值)@ VGS = 10 V 
	超低栅电荷 
	绿色的可用设备 
	优良的CDV / dt效应递减 
	先进的高密度沟槽技术 
	 
	 3、产品参数 
	产品型号:KIA7P03A  
	工作方式:-7.5A/-30V  
	漏源电压:-30V 
	栅源电压:±20V 
	漏电流连续:-7.5A 
	脉冲漏极电流:-50A 
	雪崩电流:-38A 
	雪崩能量:72.2mJ 
	耗散功率:31W 
	热电阻:40℃/W 
	漏源击穿电压:-30V 
	温度系数:-0.022V/℃ 
	栅极阈值电压:2.5V 
	输入电容:1345PF 
	输出电容:194PF 
	上升时间:19.6ns 
	封装形式:SOP-8 
	
	4、KIA7P03A产品规格 
	
		
			
				|  
 | KIA7P03A | 
			
				| 产品编号 | KIA7P03A -7.5A/-30V | 
			
				| 产品工艺 | 
						kia7p03a是高密度沟槽p-CH MOSFET,提供出色的导通电阻和大多数同步降压转换器应用的栅极电荷。的kia7p03a满足绿色产品要求。 
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				| 产品特征 | 
						RDS(ON)= 18mΩ(典型值)@ VGS = 10 V 
					 
						超低栅电荷 
					 
						绿色的可用设备 
					 
						优良的CDV / dt效应递减 
					 
						先进的高密度沟槽技术 
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				| 封装形式 | SOT-8 | 
			
				| PDF文件 |  【直接在线预览】 
 | 
			
				| LOGO |  
 | 
			
				| 厂家 | KIA原厂家 | 
			
				| 网址 | www.kiaic.com | 
			
				| PDF页总数 | 总4页 | 
		
	
	
	 
 
	
	联系方式:邹先生 
	联系电话:0755-83888366-8029 
	手机:18123972950 
	QQ:2880195519 
	联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1 
	
	
	
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