1、KIA23P10A产品参数
KIA23P10A采用先进的沟槽MOSFET技术，提供优良的R DS（上）和门在各种其他应用中使用的电荷。的kia23p10a符合ROHS和格林100% EAS产品的要求，保证全功能可靠性的批准
2、KIA23P10A特征
RDS（ON）= 78m?（典型值）@ V GS = 10v
100% EAS保障
绿色的可用设备
超低栅电荷
优良的CDV / dt效应递减
先进的高密度沟槽技术
3、产品参数
产品型号：KIA23P10A
工作方式：-23A/-100V
漏源电压：-100V
栅源电压：±20V
漏电流连续：-23A
脉冲漏极电流：-75A
雪崩电流：18.9A
雪崩能量：157.2mJ
耗散功率：96W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：-100V
温度系数：-0.022V/℃
栅极阈值电压：-1.2V
输入电容：3029PF
输出电容：129PF
上升时间：53.6ns
封装形式：TO-252
4、KIA23P10A产品规格
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KIA23P10A
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产品编号
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KIA23P10A -23A/-100V
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适用范围
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主要用于在无线的其他应用程序的各种栅极电荷。kia23p10a符合ROHS环保和绿色产品的要求，保证100% EAS全功能可靠性的批准。
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产品特征
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RDS（ON）= 78m?（典型值）@ V GS = 10v
100% EAS保障
绿色的可用设备
超低栅电荷
优良的CDV / dt效应递减
先进的高密度沟槽技术
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封装形式
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TO-252
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总4页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8029
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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