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KIA原厂家 KIA23P10A P沟道 -23A /-100V PDF文件下载-KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-03-12 

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1、KIA23P10A产品参数

KIA23P10A采用先进的沟槽MOSFET技术,提供优良的R DS(上)和门在各种其他应用中使用的电荷。的kia23p10a符合ROHS和格林100% EAS产品的要求,保证全功能可靠性的批准

2、KIA23P10A特征

RDS(ON)= 78m?(典型值)@ V GS = 10v

100% EAS保障

绿色的可用设备

超低栅电荷

优良的CDV / dt效应递减

先进的高密度沟槽技术


3、产品参数

产品型号:KIA23P10A

工作方式:-23A/-100V

漏源电压:-100V

栅源电压:±20V

漏电流连续:-23A

脉冲漏极电流:-75A

雪崩电流:18.9A

雪崩能量:157.2mJ

耗散功率:96W

热电阻:62℃/W

漏源击穿电压:-100V

温度系数:-0.022V/℃

栅极阈值电压:-1.2V

输入电容:3029PF

输出电容:129PF

上升时间:53.6ns

封装形式:TO-252


4、KIA23P10A产品规格


KIA23P10A
产品编号 KIA23P10A -23A/-100V
适用范围 主要用于在无线的其他应用程序的各种栅极电荷。kia23p10a符合ROHS环保和绿色产品的要求,保证100% EAS全功能可靠性的批准。
产品特征

RDS(ON)= 78m?(典型值)@ V GS = 10v

100% EAS保障

绿色的可用设备

超低栅电荷

优良的CDV / dt效应递减

先进的高密度沟槽技术

封装形式 TO-252
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厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8029

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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