1、KIA3414产品描述
KIA3414采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（on），低栅极电荷和低闸极电压为1.8v.装置操作，适用作为负荷开关或在PWM。标准KIA3414无铅产品。（符合ROHS）。KIA3414是一种绿色产品订购选项。KIA3414电相同。
2、KIA3414 产品特征
VDS (V)=20V
ID=4.2A
RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A)
RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)
3、KIA3414产品参数
产品型号：KIA3414
工作方式：4.2A/20V
漏源电压：20V
栅源电压：±12A
漏电流连续：4.2A
脉冲漏极电流：15A
耗散功率：1.4W
热电阻：70℃/W
漏源击穿电压：20V
栅极阈值电压：-0.4V
输入电容：436PF
输出电容：66PF
上升时间：6.3ns
封装形式：SOT-23
4、KIA3414产品规格
|
KIA3414 4.2A/20V
|
|
产品编号
|
KIA3414 N沟道MOSFET
|
|
产品特征
|
VDS (V)=20V
ID=4.2A
RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A)
RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)
|
|
适用范围
|
适用作为负荷开关或在PWM
|
|
封装形式
|
SOT-23
|
|
PDF文件
|
 【直接在线预览】
|
|
LOGO
|
|
|
厂家
|
KIA原厂家
|
|
网址
|
ww.kiaic.com
|
|
PDF总页数
|
总5页
|
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。
关注「KIA半导体」，做优秀工程师！
长按二维码识别关注
阅读原文可一键关注+技术总汇
