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KIA原厂家mos管 KIA6035A 11A /350V N沟道 PDF文件下载-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-03-13 

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1、KIA6035A产品描述

这是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻,提供优越性。

开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。


2、KIA6035A的特征

RDS(ON)= 0.38Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷(典型的15nc)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


3、KIA6035A产品参数

产品型号:KIA6035A

工作方式:11A/350V

漏源电压:350V

栅源电压:±20V

漏电流连续:11A

脉冲漏极电流:9.0A

雪崩能量:423mJ

耗散功率:99W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:350V

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:844PF

输出电容:162PF

上升时间:23.5ns

封装形式:TO-252、TO-220


4、KIA6035A产品规格


KIA6035A
产品编号 KIA6035A 11A/350V
产品工艺 这是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻,提供优越性。
产品特征

RDS(ON)= 0.38Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷(典型的15nc)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 适合于最小化状态电阻,高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
封装形式 TO-252、TO-220
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厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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