深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

6165A现货供应商 KIA6165A 10A/650V PDF文件下载-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-03-15 

分享到:

1、KNX6165A产品描述

KNX6165A通道增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计,高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器


2、KNX6165A产品特征

符合RoHS

RDS(ON),典型值= 0.6Ω@ VGS=10v

低门电荷最小化开关损耗

快速恢复体二极管


3、KNX6165A产品参数

产品型号:KNX6165A

工作方式:10A/650V

漏源电压:650V

栅源电压:±20V

漏电流连续:10A

脉冲漏极电流:40A

雪崩能量:800mJ

耗散功率:216W

热电阻:62℃/W

漏源击穿电压:650V

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:1554PF

输出电容:153PF

上升时间:31ns

封装形式:TO-220、220F


4、KNX6165A产品规格


KNX6165A
产品编号 KNX6165A 10A/650V
产品特征

符合RoHS

RDS(ON),典型值= 0.6Ω@ VGS=10v

低门电荷最小化开关损耗

快速恢复体二极管

产品描述 KNX6165A通道增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计,高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器
封装形式 TO-220、220F
PDF文件 【直接在线预览】
LOGO KNX6165A
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF页总数 总7页


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。

关注「KIA半导体」,做优秀工程师!


长按二维码识别关注

阅读原文可一键关注+技术总汇