3415mos管现货供应商 KIA3415A -4.0A/-16V PDF文件下载-KIA 官网

信息来源：本站　日期：2018-03-16　

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KIA3415采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（上），低栅极电荷和低闸极电压为1.8v.这装置操作适合作为负荷开关或在PWM应用标准的产品kia3415无铅（符合RoHS及索尼259规格）

VDS (V)=-16V

ID =-4.0A

RDS(on) <45mΩ(VGS =-4.5V,I D =-4.0A)

RDS(on) <54mΩ(VGS =-2.5V,I D =-2.5A)

RDS(on) <75mΩ(VGS =-1.8V,I D =-2.0A)

产品型号：KIA3415

工作方式：-4.0A/-16V

漏源电压：-16V

栅源电压：±8A

漏电流连续：-4.0A

脉冲漏极电流：30A

耗散功率：1.4W

热电阻：62℃/W

漏源击穿电压：-16V

栅极阈值电压：-0.4V

输入电容：1450PF

输出电容：205PF

上升时间：17ns

封装形式：SOT-23

	KIA3415 P沟道MOSFET
产品编号	KIA3415 -4.0A/-16V
产品描述	KIA3415采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（上），低栅极电荷和低闸极电压为1.8v.这装置操作适合作为负荷开关或在PWM应用标准的产品kia3415无铅（符合RoHS及索尼259规格）
产品特征	VDS (V)=-16V ID =-4.0A RDS(on) <45mΩ(VGS =-4.5V,I D =-4.0A) RDS(on) <54mΩ(VGS =-2.5V,I D =-2.5A) RDS(on) <75mΩ(VGS =-1.8V,I D =-2.0A)
封装形式	SOT-23
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF页总数	总5页