深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

KIA100N03AD 30V/90A场效mos管IR8726 PDF参数资料-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-03-23 

分享到:

1、KIA30N39产品描述

功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。

2、KIA30N39产品特征

RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V

超高密度电池设计

超低电阻

快速恢复体二极管

无铅和绿色设备数(RoHS)


3、KIA30N39参数

产品型号:KIA30N39

工作方式:90A/30V

漏源电压:30V

栅源电压:±20A

漏电流连续:90A

脉冲漏极电流:360A

雪崩电流:50A

雪崩能量:125mJ

耗散功率:88W

热电阻:62℃/V

漏源击穿电压:30V

温度系数:0.03V/℃

栅极阈值电压:1.2V

输入电容:2200PF

输出电容:280PF

上升时间:19.5ns

封装形式:TO-251、252、253、220


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”

长按二维码识别关注