1、KIA30N39产品描述
功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
2、KIA30N39产品特征
RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V
超高密度电池设计
超低电阻
快速恢复体二极管
无铅和绿色设备数（RoHS）
3、KIA30N39参数
产品型号：KIA30N39
工作方式：90A/30V
漏源电压：30V
栅源电压：±20A
漏电流连续：90A
脉冲漏极电流：360A
雪崩电流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率：88W
热电阻：62℃/V
漏源击穿电压：30V
温度系数：0.03V/℃
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：2200PF
输出电容：280PF
上升时间：19.5ns
封装形式：TO-251、252、253、220
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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