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1N60H mos管现货 KIA1N60H 1A/600V PDF文件下载-KIA mos管

信息来源:本站 日期:2018-03-24 

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1、KIA1N60HI产品描述

KIA1N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计高电压,高速功率开关应用,如开关稳压器,开关转换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动程序。


2、KIA1N60H产品特征

1A, 600V, RDS(on) = 9.3? @VGS = 10V

低栅极电荷(典型的5.0nc)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


3、KIA1N60H产品参数

产品型号:KIA1N60H

工作方式:1A/600V

漏源电压:600V

栅源电压:±30A

漏电流连续:1.0A

脉冲漏极电流:4.0A

雪崩电流:2.8A

雪崩能量:33mJ

耗散功率:28W

热电阻:50℃/V

漏源击穿电压:600V

温度系数:6.6V/℃

栅极阈值电压:2.2V

输入电容:120PF

输出电容:20PF

上升时间:21ns

封装形式:TO-92、251、252


 

KIA1N60H

产品编号

KIA1N60H 1A/600V

产品特征

1A, 600V, R DS(on) = 9.3? @VGS = 10V

低栅极电荷(典型的5.0nc

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dtdt能力

适用范围

适用于高速功率开关应用,如开关稳压器,开关,转换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动程序。

封装形式

TO-92251252

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厂家

KIA(可易亚)

网址

www.kiaic.com

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3

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

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联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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