1、KIA1N60HI产品描述
KIA1N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。
2、KIA1N60H产品特征
1A, 600V, RDS(on) = 9.3? @VGS = 10V
低栅极电荷（典型的5.0nc）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
3、KIA1N60H产品参数
产品型号：KIA1N60H
工作方式：1A/600V
漏源电压：600V
栅源电压：±30A
漏电流连续：1.0A
脉冲漏极电流：4.0A
雪崩电流：2.8A
雪崩能量：33mJ
耗散功率：28W
热电阻：50℃/V
漏源击穿电压：600V
温度系数：6.6V/℃
栅极阈值电压：2.2V
输入电容：120PF
输出电容：20PF
上升时间：21ns
封装形式：TO-92、251、252
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KIA1N60H
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产品编号
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KIA1N60H 1A/600V
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产品特征
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1A, 600V, R DS(on) = 9.3? @VGS = 10V
低栅极电荷（典型的5.0nc）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
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适用范围
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适用于高速功率开关应用，如开关稳压器，开关，转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。
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封装形式
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TO-92、251、252
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LOGO
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厂家
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KIA（可易亚）
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总3页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
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