大功率场效应管型号
|
Prato Numbe
|
ID（A)
|
VDSS（V)
|
RDS（ON）Ω
|
|
KIA1N60H
|
1
|
600
|
11.5
|
|
KIA4N60H
|
4
|
600
|
2.7
|
|
KIA7N60H
|
7
|
600
|
1.2
|
|
KIA7N65H
|
7
|
650
|
1.4
|
|
KIA840S
|
8
|
500
|
0.9
|
|
KIA13N50H
|
13
|
500
|
0.048
|
|
KIA6N70S
|
5.8
|
700
|
1.6
|
|
KND4360A
|
4
|
600
|
2.3
|
|
KND4365A
|
4
|
650
|
2.5
|
|
KIA5N50H
|
5
|
500
|
1.5
|
|
KND4560A
|
6
|
600
|
1.7
|
|
KND4665B
|
7
|
650
|
1.4
|
|
KIA4750S
|
9
|
500
|
0.9
|
|
KIA5N60E
|
4.5
|
600
|
2.5
|
|
KIA730H
|
6
|
400
|
1
|
|
KIA7N80H
|
7
|
800
|
1.9
|
KNP6140A
|
10
|
400
|
0.5
|
|
KIA10N65H10
|
10
|
650
|
0.75
|
|
KIA12N60H
|
12
|
600
|
0.65
|
|
KIA12N65H
|
12
|
650
|
0.75
|
|
KIA13N50H
|
13
|
500
|
0.48
|
|
KIA18N50HF
|
18
|
500
|
0.32
|
|
KIA20N50H
|
24
|
500
|
0.26
|
|
KIA24N50H
|
24
|
500
|
0.2
|
|
KIA9N90S
|
9
|
900
|
1.4
|
|
KNP6650A
|
15
|
500
|
0.45
|
|
KIA40N20H
|
40
|
200
|
0.1
|
|
KIA6035A
|
11
|
350
|
0.48
|
|
KIA6110A
|
15
|
100
|
0.11
|
|
KNB1906B
|
230
|
60
|
0.0035
|
|
KIA7610A
|
25
|
100
|
0.038
|
|
KND4665B
|
7
|
650
|
1.4
|
|
KND830U
|
8
|
500
|
0.9
|
|
KIA10N80H
|
10
|
800
|
1.1等
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场效应管的主要特性参数
场效应管的直流参数
1.夹断电压Up
在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。
2. 开启电压UT
在UDS为某一固定值的条件下，使S 极与D 极之间形成导电沟道的UGS就是开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。
3. 饱和电流IDSS
在UDS =0的条件下，漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流，它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。
4. 直流输入电阻RGS
在场效应管输入端(即栅源之间)所加的电压Ucs 与流过的栅极电流之比，称作直流输入电阻。绝缘栅型场效应管的直流输入电阻比结型场效应管大两个数量级以上。结型场效应管的直流输入电阻为1 X 10 8Ω，而绝缘栅型场效应管的直流输入电阻为1 X 10 12Ω 以上。
5. 漏源击穿电压BVDS
在增大漏师、电压的过程中.使ID开始剧增的UDS值，称为漏源击穿电压。BVDS确定了场效应管的使用电压。
6. 栅源击穿电压BVGS
对结型场效应管来说，反向饱和电流开始剧增时的UGS值，即为栅游、击穿电压。对于绝缘栅型场效应管来说，它是使SiO2 绝缘层击穿的电压。
场效应管的微变参数
1.跨导gm
在漏源电压UDS一定时，漏极电流ID的微量变化和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导，即跨导是衡量场效应管栅源电压UGS对漏极电流ID控制能力的一个参数，也是衡量场效应管放大作用的重要参数之一。
2. 漏源动态电阻rDS
在栅洒、电压一定时， UDS的微小变化量与ID的变化量之比，称为漏源动态内阻rDS ,即rDS的取值范围一般为数千欧至数百千欧。
场效应管的其他参数
①极间电容
场效应管的三个电极间都存在着极间电容，即栅师、电容CGS、栅漏电容CGD和师、漏电容CDS。CGS和CGD一般为1 - 3pF , CDS约为0.1 - 1pF
②漏源最大电流IDM
它是指场效应管漏源极的允许通过的最大电流
③场效应管耗散功率PD
它是指场效应管工作时所耗散的功率
④低频噪声系数NF
场效应管的噪声是由内部载流子运动的不规则性引起的。它的存在会使一个放大器即使在没有信号输入时，在输出端也会出现不规则的电压或电流的变化。场效应管的低频噪声系数要比半导体三极管小。
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