KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，具有低栅电荷（典型16NC）、高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、具备提高dv/dt能力...
广东可易亚半导体科技有限公司-商标 深圳市金泰子实业有限公司-商标 深圳市福...广东可易亚半导体科技有限公司-商标 深圳市金泰子实业有限公司-商标 深圳市福田区可得电子设备商行-商标
KNX3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优...KNX3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KND3404C满足RoHS和绿色产品要求, 100%的EAS保证了全部功能的可...
KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品描述 该功率MOSFET采用KIA的先进技术...KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品描述 该功率MOSFET采用KIA的先进技术生产。该技术使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间，低导通电阻，低栅电荷...
region：MOS管的工作区域，可能值为 0~4，分别对应：0： 关断；1： 线性区；2：...region：MOS管的工作区域，可能值为 0~4，分别对应：0： 关断；1： 线性区；2： 饱和区；3： 亚阈值区；4： 击穿
MOS管有如下参数： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如下参数： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。 Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。 THERMAL RESISTA...
