KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品描述 该功率MOSFET采用KIA的先进技术...KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品描述 该功率MOSFET采用KIA的先进技术生产。该技术使功率MOSFET具有更好的特性,包括快速开关时间,低导通电阻,低栅电荷...
region:MOS管的工作区域,可能值为 0~4,分别对应:0: 关断;1: 线性区;2:...region:MOS管的工作区域,可能值为 0~4,分别对应:0: 关断;1: 线性区;2: 饱和区;3: 亚阈值区;4: 击穿
MOS管有如下参数: Operating Junction :Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如下参数: Operating Junction :Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current(Rjc):I(T=Tc)。 Power Dissipation(Rjc):P(T=Tc)。 THERMAL RESISTA...
KIA MOS管-KCX2704A:40V 150A KCX2704A是由国内专注研发的优质MOS管厂家生产。...KIA MOS管-KCX2704A:40V 150A KCX2704A是由国内专注研发的优质MOS管厂家生产。KCX2704A是一款SGT工艺产品,是使用LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOSFET。改进的...
我们知道采用PNP管子作为开关管的饱和压降在0~0.3V,这在低电路上是不可接受的...我们知道采用PNP管子作为开关管的饱和压降在0~0.3V,这在低电路上是不可接受的。3.3V的控制电源最大误差变成3V,某些1.5V的电源变成1.2V,这会导致由此供电的芯片...
MOS管2301 -2.8A-20V产品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A ...MOS管2301 -2.8A-20V产品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A