缩小MOS器件的尺寸是推进LSI技术发展的关键因素初期的MOs器件都是大尺寸的(10m...缩小MOS器件的尺寸是推进LSI技术发展的关键因素初期的MOs器件都是大尺寸的(10m左右),因而习惯上有套适用它们的物理模型和计算方法,所得的结果与大尺寸器件的实测特...
50n06参数中文RDS(on) =10.5mΩ@ VGS =10V、提供无铅绿色设备、低Rds开启，最大...50n06参数中文RDS(on) =10.5mΩ@ VGS =10V、提供无铅绿色设备、低Rds开启，最大限度地减少导电损耗、高雪崩电流
一、定性判断MOS型场效应管的好坏，场效应管代换原则与好坏判断详解，先用万用...一、定性判断MOS型场效应管的好坏，场效应管代换原则与好坏判断详解，先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给...
MOSFET 击穿电压的原因及解决方案：这三种情形即ESD一般会对电子元件造成以下三...MOSFET 击穿电压的原因及解决方案：这三种情形即ESD一般会对电子元件造成以下三种情形的影响，(1)元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命;(2)因电...
MOS管SOA分析开关电源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长...MOS管SOA分析开关电源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶...
保护板MOS管烧坏，锂电池保护板测试时MOS管裂开不会烧毁，可能是因为过充或是温...保护板MOS管烧坏，锂电池保护板测试时MOS管裂开不会烧毁，可能是因为过充或是温度过高导致的，需要重新焊接MOS管。锂电池保护板测试关系着保护板的性能和电池的使...
