MOS电容结构-MOS结构具有Q随V变化的电容效应，形成MOS电容。理想MOS电容结构特...MOS电容结构-MOS结构具有Q随V变化的电容效应，形成MOS电容。理想MOS电容结构特点:绝缘层是理想的，不存在任何电荷,绝对不导电;半导体足够厚，不管加什么栅电压，在...
MOS管二极管等器件降额规范-二极管降额规范：二极管按功能可分为普通、开关、稳...MOS管二极管等器件降额规范-二极管降额规范：二极管按功能可分为普通、开关、稳压等类型二极管;按工作频率可分为低频、高频。二极管;按耗散功率(或电流)可分为小功...
CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后, 所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件...CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后, 所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地...
60V130A，N沟道MOSFET，开关电源专用-MOS管60V130A开关电源专用-产品特征:1、R...60V130A，N沟道MOSFET，开关电源专用-MOS管60V130A开关电源专用-产品特征:1、RDS(on)=5.5mΩ@VGS=10V，2、无铅绿色设备，3、低Rds-最小化导电损耗，4、高雪崩电流...
三极管和场效应管引脚-晶体三极管和场效应管说明：晶体三极管：用于电压放大或...三极管和场效应管引脚-晶体三极管和场效应管说明：晶体三极管：用于电压放大或者电路放大的控制器件。可以把基极和集电极的间的电压Vbc放大到几十到几百倍以上，在...
1.静态工作点的测试:上图为场效应管共源极放大器实验电路图。该电路采用的自给...1.静态工作点的测试:上图为场效应管共源极放大器实验电路图。该电路采用的自给偏压的方式为放大器建立静态工作点，栅极通过R1接地，因R1中无电流流过，所以栅极与...
