硅栅MOS结构详细解析-硅栅MOS结构：在MOS-IC的早期产品中,广泛使用金属AI作为栅...硅栅MOS结构详细解析-硅栅MOS结构：在MOS-IC的早期产品中,广泛使用金属AI作为栅极。例如上世纪60年代中期第一只MOS-IC即为p沟增强型A1栅器件。但随着MOS-IC规模的...
MOS管电容特性-动态特性:从图九可以看出功率管的寄生电容分布情况，电容的大小...MOS管电容特性-动态特性:从图九可以看出功率管的寄生电容分布情况，电容的大小由功率管的结构,材料和所加的电压决定。这些电容和温度无关，所以功率管的开关速度对...
高速MOS驱动应用：双极晶体管和场效应晶体管有着相同的工作原理。从根本上说,，...高速MOS驱动应用：双极晶体管和场效应晶体管有着相同的工作原理。从根本上说,，两种类型晶体管均是电荷控制元件，即它们的输出电流和控制极半导体内的电荷量成比例...
双场效应管推挽功率放大器:由于单场效应管功率放大器存在效率低、输出功率小等...双场效应管推挽功率放大器:由于单场效应管功率放大器存在效率低、输出功率小等缺点，所以我们必须在提高功放的效率和增大输出功率方面下功夫。双场效应管推挽功率...
场效应管功率放大器:微弱的信号经过小信号放大器(或称前置放大器)逐级放大后，...场效应管功率放大器:微弱的信号经过小信号放大器(或称前置放大器)逐级放大后，去控制某些执行机构，如喇叭、继电器等。而这些执行机构都需要一定的功率去推动，所...
CMOS工艺详细解析:CMOS工艺与NMOS(或PMOS)工艺不同之处是要在同一个衬底上同时...CMOS工艺详细解析:CMOS工艺与NMOS(或PMOS)工艺不同之处是要在同一个衬底上同时制造出n-沟和p-沟晶体管。在NMOS工艺中看到，衬底的掺杂类型和掺杂水平是按照在它上...
