场效应管混频器原理与电路：混频器一般由输入信号回路、本机振荡器、非线性器件...场效应管混频器原理与电路：混频器一般由输入信号回路、本机振荡器、非线性器件和滤波网络等4部分组成，如图1所示。这里的非线性器件本身仅实现频率变换，本振信号...
铁电场效应管也就是铁电介质栅极场效应晶体管（MFSFET，Metal-Ferroelectric-S...铁电场效应管也就是铁电介质栅极场效应晶体管（MFSFET，Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET）：这是在MOSFET的基础上，把栅极SiO2绝缘材料更换为高介电常数的...
薄膜场效应管解析：场效应管是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,...薄膜场效应管解析：场效应管是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,这种器件不但具有一般半导体三极管体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点,而且还有输...
自旋场效应管（Spin-FET）， 也称为自旋偏振（极化）半导体场效应晶体管，这是...自旋场效应管（Spin-FET）， 也称为自旋偏振（极化）半导体场效应晶体管，这是一种半导体自旋电子器件。自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出来的。
场效应管图标：场效应管一般具有3个电极:栅极G、源极S和漏极D(双栅场效应管有4...场效应管图标：场效应管一般具有3个电极:栅极G、源极S和漏极D(双栅场效应管有4个电极:栅极G1、极栅G2、源极S和漏极D)。场效应管的栅极G、源极S和漏极D的功能分别对...
隧穿场效应管介绍：在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。...隧穿场效应管介绍：在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带...
