MOS管 6N70 5.8A/700V主要参数： 型号：KIA6N70H 工作方式：5.8A/700V 漏源...MOS管 6N70 5.8A/700V主要参数： 型号：KIA6N70H 工作方式：5.8A/700V 漏源电压：700V 栅源电压:±30V 单脉冲雪崩能量:150MJ 雪崩电流:4.8A 重复雪崩能量:...
无锡新洁能（nce）专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括...无锡新洁能（nce）专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P...
MOS管 KPE4703A替代P06P03LVG,下文将会具体描述KIA产品KPE4703A与尼克松P06P03...MOS管 KPE4703A替代P06P03LVG,下文将会具体描述KIA产品KPE4703A与尼克松P06P03LVG的参数、封装、规格书等，该产品可用于锂电池/智能医疗。KIA半导体是自主研发电子...
开关电源mos管型号供应商概述，深圳市可易亚半导体科技有限公司（简称KIA半导...开关电源mos管型号供应商概述，深圳市可易亚半导体科技有限公司（简称KIA半导体）.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开...
MOS管 KNX4360A 4.0A/600V主要参数： 型号：KNX4360A 工作方式：4.0A/600V ...MOS管 KNX4360A 4.0A/600V主要参数： 型号：KNX4360A 工作方式：4.0A/600V 漏源电压：600V 栅源电压:±30V 雪崩能量:180MJ 峰值二极管恢复dv/dt:4.8V/ns 漏...
MOS管 KNX4760A 8A/600V主要参数： 漏源电压：600V 栅源电压:±30V 连续漏电...MOS管 KNX4760A 8A/600V主要参数： 漏源电压：600V 栅源电压:±30V 连续漏电流：8.0A 单脉冲雪崩能量：580MJ 峰值二极管恢复dv/dt：5.0V/ns 漏源击穿电压：...
