MOS管 KIA3308A替代HY1908产品，KIA产品在品质与价格上都有相对的优势，KIA半导...MOS管 KIA3308A替代HY1908产品，KIA产品在品质与价格上都有相对的优势，KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括光伏逆变及无人机...
MOS管 KNH8150A 30A/500V主要参数： 型号：KNH8150A 工作方式：30A/500V 漏...MOS管 KNH8150A 30A/500V主要参数： 型号：KNH8150A 工作方式：30A/500V 漏源电压：500V 门-源电压:±30V 连续漏电流:30A 单脉冲雪崩能量:2000MJ 峰值二极...
文中列出了KIA半导体大功率mos参数表，请查看下表。先了解一下功率mos，功率...文中列出了KIA半导体大功率mos参数表，请查看下表。先了解一下功率mos，功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压和电...
MOS管KIA50N06替代NCE6050，文中将会具体的描述KIA50N06和NCE6050两个产品参数...MOS管KIA50N06替代NCE6050，文中将会具体的描述KIA50N06和NCE6050两个产品参数、封装、附加规格书等。KIA50n06是三端器件与约50A电流传导能力，快速开关速度。低通...
P沟道场效应管开关、应用、特点 P-MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差低于...P沟道场效应管开关、应用、特点 P-MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差低于阈值时，S极和D极导通。在实际的使用中，将控制信号接到G极，S极接在VCC，从而达到控...
MOS管 KIA24N50H 24A/500V主要参数： 型号：KIA24N50H 工作方式：24A/500V ...MOS管 KIA24N50H 24A/500V主要参数： 型号：KIA24N50H 工作方式：24A/500V 漏源电压：500V 栅源电压:±30V 脉冲漏电流:96A 峰值二极管恢复dv/dt:4.5V/ns 输...
