KIA半导体产品MOS管KNX9130A替代IRFB4137，KNX9130A相比IRFB4137,KIA半导体场效...KIA半导体产品MOS管KNX9130A替代IRFB4137，KNX9130A相比IRFB4137,KIA半导体场效应管有着雪崩冲击低、低内阻等技术优势。下文将会有KNX9130A和IRFB4137两个产品详细...
电动推杆MOS管 KNX9130A 40A/300V主要参数详情： 型号：KNX9130A 工作方式：...电动推杆MOS管 KNX9130A 40A/300V主要参数详情： 型号：KNX9130A 工作方式：40A/300V 漏源极电压：250V 栅极到源极电压：±20V 连续漏电电流：40A 单脉冲雪...
KIA半导体高耐压场效应管及所有产品都是执行的全面质量管理体系，是将所有产品...KIA半导体高耐压场效应管及所有产品都是执行的全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。KIA确定在这一质量...
文中主要讲国产快恢复二极管。快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、...文中主要讲国产快恢复二极管。快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电...
MOS管 KNX6610A 15A/100V主要参数： 型号：KNX6610A 工作方式：15A/100V 漏...MOS管 KNX6610A 15A/100V主要参数： 型号：KNX6610A 工作方式：15A/100V 漏源极电压：100V 栅源电压：±20V 单脉冲雪崩能发电：7.3MJ 雪崩电流：11A 操作连...
PFC电路碳化硅二极管 KIA4953 -5.3A/-30V： 这种双P沟道MOSFET是KIA先进的P沟...PFC电路碳化硅二极管 KIA4953 -5.3A/-30V： 这种双P沟道MOSFET是KIA先进的P沟道工艺的一个坚固的栅极版本。它已针对需要大范围给定驱动电压的电源管理应用进行了...
