近来， 半桥谐振拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是...近来， 半桥谐振拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，...
晶体管和mos管区别 mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconducto...晶体管和mos管区别 mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是...
FDP51N25产品特点： 1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低栅极...FDP51N25产品特点： 1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低栅极电荷（典型的55nC） 3、低Crss（典型的63PF） 4、快速切换 5、100%雪崩试验 6、...
mos经典驱动电路详解：现在的mos经典驱动电路，有几个特别的需求： 1，低压应...mos经典驱动电路详解：现在的mos经典驱动电路，有几个特别的需求： 1，低压应用，当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压...
对MOS失效的原因分析，对1，2重点进行分析 1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们...对MOS失效的原因分析，对1，2重点进行分析 1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致...
KIA100N03AD 90A/30V替代IR8726，KIA100N03AD产品功率MOSFET采用起亚`平面...KIA100N03AD 90A/30V替代IR8726，KIA100N03AD产品功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优...
