MOS管 FDD8870特征： rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4....MOS管 FDD8870特征： rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A 高性能沟槽技术，极低RDS（开） 低栅电荷 高功率和电流处理能力
KIA2803A MOS管品牌是KIA半导体。如果您不了解KIA，我在这里简单介绍一下，您需...KIA2803A MOS管品牌是KIA半导体。如果您不了解KIA，我在这里简单介绍一下，您需要了解更多可以查看KIA官网或是致电KIA，我们将竭诚为您服务！KIA半导体是一家专业...
电阻公式有哪些？本文主要是介绍电阻公式与电阻的一些基础知识。电阻，是一个限...电阻公式有哪些？本文主要是介绍电阻公式与电阻的一些基础知识。电阻，是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它...
主要讲快恢复二极管电路图的一些应用电路。快恢复二极管（简称FRD）是一种具有...主要讲快恢复二极管电路图的一些应用电路。快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器...
AON6512参数详情： 电流：150A 电压：30V 漏源电压：30V 栅源电压：±20V ...AON6512参数详情： 电流：150A 电压：30V 漏源电压：30V 栅源电压：±20V 雪崩电流：70A 雪崩能量：123MJ 漏源击穿电压：30V 前向传导：85S 输入电容：3...
解析开关电源MOS管开关损耗推导过程，开关损耗包括导通损耗和截止损耗。导通损...解析开关电源MOS管开关损耗推导过程，开关损耗包括导通损耗和截止损耗。导通损耗指功率管从截止到导通时,所产生的功率损耗。截止损耗指功率管从导通到截止时,所产...
