FDP51N25产品特点： 1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低栅极...FDP51N25产品特点： 1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低栅极电荷（典型的55nC） 3、低Crss（典型的63PF） 4、快速切换 5、100%雪崩试验 6、...
mos经典驱动电路详解：现在的mos经典驱动电路，有几个特别的需求： 1，低压应...mos经典驱动电路详解：现在的mos经典驱动电路，有几个特别的需求： 1，低压应用，当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压...
对MOS失效的原因分析，对1，2重点进行分析 1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们...对MOS失效的原因分析，对1，2重点进行分析 1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致...
KIA100N03AD 90A/30V替代IR8726，KIA100N03AD产品功率MOSFET采用起亚`平面...KIA100N03AD 90A/30V替代IR8726，KIA100N03AD产品功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优...
KND8103A可替代L7805CV1，本文将会有KNX8103A和L7805CV1两个型号的产品附件，K...KND8103A可替代L7805CV1，本文将会有KNX8103A和L7805CV1两个型号的产品附件，KIA半导体10几年一直走品质追求，也一直力争将质量做好最精致完美。KAI半导体雪崩冲击...
场效应管发热严重的原因： 1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状...场效应管发热严重的原因： 1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压...
