普通6V低电压桥式整流电源,在整流二极管内阻上的电压降往往占去了输入电压的2...普通6V低电压桥式整流电源,在整流二极管内阻上的电压降往往占去了输入电压的25%,即有1.5V的电压降损耗。采用肖特基快速二极管虽然可以减少50%的损耗,但仍然不...
场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点,而且还具备两者所缺少的优点。场效...场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点,而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性,即场效应管的源极和漏极是可以互换的(无阻尼),一般的晶体管...
开关比的定义:开关比是反应器件对电流的调控能力的,定义为器件开状态电流与关...开关比的定义:开关比是反应器件对电流的调控能力的,定义为器件开状态电流与关状态电流的比值。场效应晶体管中,在源、漏电压不变的情况下,加门压和不加门压时测...
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类...场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(juncTIonFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorF...
MOS管电流源驱动原理分析:在传统电压源驱动方式下,开关管VT门极电容充电的过...MOS管电流源驱动原理分析:在传统电压源驱动方式下,开关管VT门极电容充电的过程中,充电电流、Cin 两端电压Ugs变化如图1所示,to时刻门极平均电流Ig达到峰值Ugat...
信号发生电路比较简单,主要是产生两路带死区互补的方波信号,一定要互补带死区...信号发生电路比较简单,主要是产生两路带死区互补的方波信号,一定要互补带死区的方波信号,否则会造成MOS/IGBT误导通,造成MOS/IGBT管损坏。常见的信号发生电路有...