irf730场效应管可以使用KIA730H这一款漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，...irf730场效应管可以使用KIA730H这一款漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，性能出色的N沟道增强型硅栅极功率MOSFET替代，专为高压、高速...
KNX6140A场效应管采用专有平面新技术，漏源击穿电压400V，漏极电流10A，RDS(ON...KNX6140A场效应管采用专有平面新技术，漏源击穿电压400V，漏极电流10A，RDS(ON)，typ.=0.35Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代换irf740型号使用，具有较低的导通电阻、优...
KIA6720N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；...KIA6720N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代换IRF640型号使用，封装形式：TO-220，低热阻和低成本，便于安装和使...
KIA4820N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，RDS（ON）=260mΩ@VGS=10V；K...KIA4820N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，RDS（ON）=260mΩ@VGS=10V；KIA4820N可以代换irf630型号使用，封装形式：TO-220、TO-252便于安装和使用，高效稳定...
KNX7115A场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX...KNX7115A场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX7115A能够代换aod4454型号，在LED驱动等领域热销，封装形式：TO-252、TO-251。
KIA4810A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流9A，RDS（ON）=20mΩ@VGS=10V；KI...KIA4810A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流9A，RDS（ON）=20mΩ@VGS=10V；KIA4810A场效应管100V 9A能够代换AON6450型号，这种通用技术非常适合无线充、无人机方...
