MOS管电流噪声 MOS器件的本底噪声是器件中电压和电流的自发涨落，与电子电荷的...MOS管电流噪声 MOS器件的本底噪声是器件中电压和电流的自发涨落，与电子电荷的离散性紧密相关。 噪声的影响受器件及其所在电路放大能力的限制。 外界噪声可以通...
KNX8103A 30V30A参数 电流：30A 电压：30V 漏源极电压：30V 栅源电压：±2...KNX8103A 30V30A参数 电流：30A 电压：30V 漏源极电压：30V 栅源电压：±20V 脉冲漏电流：60A 单脉冲雪崩能：72MJ 雪崩电流：21A 运行结温范围：-55℃至+...
MOS管栅极驱动振荡 功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中...MOS管栅极驱动振荡 功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET桥式拓扑结构时，同一桥臂上的...
高边驱动、低边驱动 驱动负载有两种基本方法：低边驱动，高边驱动。低边驱动通...高边驱动、低边驱动 驱动负载有两种基本方法：低边驱动，高边驱动。低边驱动通常用于与动力总成相关的负载，例如电机，加热器。而高边驱动经常用于燃油泵和车身相...
MOS驱动感性负载-PWM电路 通常的做法都是PWM信号直接到MOS管G极，这样做正常功...MOS驱动感性负载-PWM电路 通常的做法都是PWM信号直接到MOS管G极，这样做正常功能不会有问题，但异常时，如输出PWM的控制器故障或MCU死机，端口恰好一直持续高电平...
一、基本原理 MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生电容，这是由制作工艺决定的。MOS...一、基本原理 MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生电容，这是由制作工艺决定的。MOS管的开通和关断其实就是对Cgs充放电的过程。开启时通过栅极R1电阻对Cgs充电，充电时...
