1、KIA2404A产品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度电池设计...1、KIA2404A产品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度电池设计 超低电阻 100%雪崩测试 无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）
40V150A参数规格 KIA2804N产品特征 1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度电...40V150A参数规格 KIA2804N产品特征 1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度电池设计 3、超低导通电阻 4、快恢复体二极管 5、无铅和绿色设备（符合RoHS）
30V85AMOS管 KNX3403A产品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 无铅绿色设备 降低导...30V85AMOS管 KNX3403A产品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 无铅绿色设备 降低导电损耗 高雪崩电流
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在...晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆...
场效应管可分为结型场效应管（简称JFET）和绝缘栅场效应管（简称MOS管或MOSFET...场效应管可分为结型场效应管（简称JFET）和绝缘栅场效应管（简称MOS管或MOSFET）两种。每种又可分为N沟道和P沟道两类，N沟道和P沟道场效应管工作原理相同，只是工...
KIA2803A，AON6512两个型号的具体参数、封装、电路特征等。 （一）AON6512参数...KIA2803A，AON6512两个型号的具体参数、封装、电路特征等。 （一）AON6512参数 电流：150A 电压：30V 漏源电压：30V 栅源电压：±20V 雪崩电流：70A 雪崩能...
