MOS集成电路电过应力损伤：电过应力(EOS)是MOS集成电路失效分析过程中常见失效...MOS集成电路电过应力损伤：电过应力(EOS)是MOS集成电路失效分析过程中常见失效原因，电过应力损伤对MOS集成电路可靠性危害很大，轻者导致电路电性能下降，留下隐患...
由晶圆供货紧张引发的多米诺骨牌效应正在半导体产业链愈演愈烈。MOS涨价、电源...由晶圆供货紧张引发的多米诺骨牌效应正在半导体产业链愈演愈烈。MOS涨价、电源管理芯片涨价、MCU涨价、汽车电子元件芯片涨价、内存芯片涨价……每一份涨价通知函，...
CS单管放大电路：共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得...CS单管放大电路：共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而...
适用于LLC变压器，其特征在于，包括：第一MOS开关管、第二MOS开关管、第一电容...适用于LLC变压器，其特征在于，包括：第一MOS开关管、第二MOS开关管、第一电容、电感和至少两个变压器;所述变压器的原边串联、副边并联;所述第一MOS开关管与第二M...
场效应管输入前级放大器：该TW-J26SN1前级放大器的输入端采用单端1型场效应管做...场效应管输入前级放大器：该TW-J26SN1前级放大器的输入端采用单端1型场效应管做输入级,单管输入可获对比差分输入更低的噪音,更大的动态范围, 接近电子管的输入特性...
MOS变容管概述：MOS变容管是把MOSFET标准管或稍加改进后的MOS管的源极、漏极以...MOS变容管概述：MOS变容管是把MOSFET标准管或稍加改进后的MOS管的源极、漏极以及衬底连接起来，使它变成一个两端器件;所利用的电容是栅极和源极之间的电容。电容的...
