MOS变容管解析：随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视...MOS变容管解析：随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO)，是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VC...
MOSFET/IGBT的开关损耗测验是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损...MOSFET/IGBT的开关损耗测验是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传...
MOS管速度饱和:一般而言，载流子速度正比于电场，斜率是载流子的迁移率；可当延...MOS管速度饱和:一般而言，载流子速度正比于电场，斜率是载流子的迁移率；可当延沟道电场达到临界值（某个根据散射效应计算的值）时，载流子的速度将会趋于饱和，称...
MOS管-热插拔：当电源与其负载突然断开时，电路寄生电感元件上的大电流摆动会产...MOS管-热插拔：当电源与其负载突然断开时，电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压，对电路上的电子元件造成十分不利的影响。与电池保护应用类似，此...
功率MOS管Coss会产生开关损耗，在正常的硬开关过程中，关断时VDS的电压上升，电...功率MOS管Coss会产生开关损耗，在正常的硬开关过程中，关断时VDS的电压上升，电流ID对Coss充电，储存能量。在MOS管开通的过程中，由于VDS具有一定的电压，那么Cos...
反向电流损害：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂...反向电流损害：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为...
