场效应管图标：场效应管一般具有3个电极:栅极G、源极S和漏极D(双栅场效应管有4...场效应管图标：场效应管一般具有3个电极:栅极G、源极S和漏极D(双栅场效应管有4个电极:栅极G1、极栅G2、源极S和漏极D)。场效应管的栅极G、源极S和漏极D的功能分别对...
隧穿场效应管介绍：在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。...隧穿场效应管介绍：在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带...
逆变器烧场效应管原因：逆变器的场效应管工作于开关状态，并且流过场效应管的电...逆变器烧场效应管原因：逆变器的场效应管工作于开关状态，并且流过场效应管的电流很大，若场效应管选型不合适、驱动电压幅度不够大或电路的散热不好，皆可导致场效...
浮栅场效应管解析：闪存（Flash）技术利用的场效应管就是浮栅场效应管。FLASH技...浮栅场效应管解析：闪存（Flash）技术利用的场效应管就是浮栅场效应管。FLASH技术是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。这种场效应管的结构与普通场管有很大区别...
120VMOS管，3112参数-产品特性：采用CRM(CQ)先进的沟槽技术，极低通阻RDS(on)，...120VMOS管，3112参数-产品特性：采用CRM(CQ)先进的沟槽技术，极低通阻RDS(on)，符合JEDEC标准，RDS(on)=7mΩ（typ.)@VGS=10V
IGBT特性曲线解读-通态特性，通态压降：随着IGBT器件技术的发展,IGBT的通态压降...IGBT特性曲线解读-通态特性，通态压降：随着IGBT器件技术的发展,IGBT的通态压降越来越小，从而使其电流密度越来越高。但是注意，器件给出的通态饱和压降是有一定条...
