MOS管保护电路实测，分析:功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承...MOS管保护电路实测，分析:功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理...
PWM驱动MOS管H桥电路：H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似...PWM驱动MOS管H桥电路：H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：...
华润微CRSS042N10N参数|变频器,锂电池保护板专用-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET ...华润微CRSS042N10N参数|变频器,锂电池保护板专用-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6mΩ, 120A,CRSS042N10N参数-特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术,极低通阻...
CRSS037N10N（华润微）大功率MOS|中文参数详情-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET 10...CRSS037N10N（华润微）大功率MOS|中文参数详情-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3mΩ, 120A,CRSS037N10N（华润微）-产品特点：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术,...
NCE n通道超级沟槽II功率MOSFET-NCEP039N10D-描述：该系列设备使用超级战壕II技...NCE n通道超级沟槽II功率MOSFET-NCEP039N10D-描述：该系列设备使用超级战壕II技术，即独特优化，提供最有效的高频切换性能。传导和开关电源由于极低的组合，损失最...
MOS管二级效应及其小信号等效-二级效应-体效应:由于源极和衬底之间存在电压差，...MOS管二级效应及其小信号等效-二级效应-体效应:由于源极和衬底之间存在电压差，是的器件的电流方程偏离上述公式。主要是由于当源极与衬底存在压差时，阈值电压会发...
